1、隨著第一個(gè)晶體管的誕生,微電子技術(shù)發(fā)展尤為迅速,目前已進(jìn)入了甚大規(guī)模集成電路時(shí)代。半導(dǎo)體存儲(chǔ)器作為微電子產(chǎn)品的典型代表已越來越多的使用到各種不同的電子消費(fèi)品中,近年來,憑借著速度快和功耗低的優(yōu)點(diǎn),靜態(tài)存儲(chǔ)器(SRAM)的發(fā)展勢(shì)頭十分強(qiáng)勁,成為了半導(dǎo)體存儲(chǔ)器中不可或缺的一部分。
　　本文首先介紹了存儲(chǔ)器的分類和國內(nèi)外的發(fā)展現(xiàn)狀,從摩爾定律到基辛格規(guī)則。其次,著重分析了SRAM的基本結(jié)構(gòu),從基本框架到各個(gè)模塊,通過不同結(jié)構(gòu)的存儲(chǔ)單元工

2、作原理,介紹了其各自的設(shè)計(jì)方法及優(yōu)缺點(diǎn),本文以6管存儲(chǔ)單元為例,介紹了電路讀寫的時(shí)序,分析了幾種容限。接著,本文通過對(duì)幾種不同類型靈敏放大器原理的對(duì)比及分析,總結(jié)優(yōu)缺點(diǎn),特別是本設(shè)計(jì)用到的鎖存型靈敏放大器,分析了電路失配的原因以及減小失配的方法,在深亞微米工藝下,失配電壓服從高斯分布,降低靈敏放大器失配電壓的平均值幅度空間已經(jīng)很小,良率主要取決于失配電壓標(biāo)準(zhǔn)差的值。通過對(duì)存儲(chǔ)單元以及靈敏放大器的設(shè)計(jì)和仿真,得出滿足良率下的靈敏放大器的失