1、可靠性物理是集成電路中必需而且重要的一門(mén)學(xué)科，根據(jù)器件的關(guān)鍵工藝參數(shù)，對(duì)產(chǎn)品進(jìn)行可靠試驗(yàn)，并作出可靠性評(píng)估，以調(diào)整對(duì)新產(chǎn)品可靠性設(shè)計(jì)，生產(chǎn)中質(zhì)量控制以及器件的正確使用，以最終提高器件的可靠性?，F(xiàn)在集成電路工藝發(fā)展迅速，從亞微米到深亞微米0.35um，0.18um，0.11um，90nm，65nm，45nm…。在制造工藝的迅猛發(fā)展的同時(shí)，工藝的可靠性研究也越來(lái)越重要，越來(lái)越嚴(yán)格?，F(xiàn)在在生產(chǎn)過(guò)程中，充分利用微電子測(cè)試圖技術(shù)研究；對(duì)專門(mén)設(shè)計(jì)的

2、微電子測(cè)試結(jié)構(gòu)進(jìn)行簡(jiǎn)單的電學(xué)測(cè)量或顯微鏡觀察，提取有關(guān)生產(chǎn)工藝參數(shù)和單元器件或電路的電參數(shù)，提高芯片良率。本研究分析發(fā)現(xiàn)外來(lái)磁場(chǎng)對(duì)SEM圖像會(huì)產(chǎn)生扭曲變化，進(jìn)而帶來(lái)測(cè)試值存在較大誤差的影響。本論文在工藝和硬件上提出了解決方案。工藝上，利用multi point的量測(cè)方法代替了原始的single point量測(cè)方法，硬件上，設(shè)計(jì)建立了一個(gè)主動(dòng)式反磁場(chǎng)系統(tǒng)平臺(tái)的方案，利用感應(yīng)器和控制器發(fā)送到電流到框架產(chǎn)生不同向量的磁場(chǎng)，將周圍的磁場(chǎng)完全逆向