1、隨著信息技術與信息產業(yè)的迅速興起,特別是多媒體計算機網絡在全球的延伸和普及,人們需要存儲、處理和傳遞的數(shù)據量呈幾何級數(shù)式急劇增長,因此帶動了信息存儲技術的高速發(fā)展。磁隨機存儲器、由于其非易失性存儲、超高的讀寫次數(shù)、低功耗、高存儲密度和高讀寫速度,在未來的存儲系統(tǒng)領域引起了廣泛的興趣,是最有希望成為下一代信息存儲器的候選存儲器之一。MRAM的應用目前還處于發(fā)展階段,其性能還有很大的提升空間。
　　本文提出了一種T型自由層的自旋力矩轉

2、移磁隨機存儲器單元結構,并用微磁模擬軟件對此結構進行了建模。研究了T型自由層MTJ磁存儲單元結構的TMR值與翻轉電流密度之間的關系;從單元的TMR值以及翻轉電流密度兩個方面比較了T型自由層存儲單元與常規(guī)結構存儲單元之間的性能差異,通過模擬T型自由層存儲單元磁矩的翻轉分析了這種性能差異的原因。通過ANSYS有限元熱模擬說明了T型自由層存儲單元上自由層的聚熱作用,從弱化自由層垂直磁各向異性強度的角度說明了這種聚熱作用對提高磁翻轉效率的影響。