1、近年來隨著市場競爭的激烈以及TFT-LCD技術方面的不斷發(fā)展，畫面品質(開口率、串擾等)的提升已經成為TFT-LCD企業(yè)的首要問題。而為了在畫面品質方面有很大的提高，都不斷地在技術能力方面進行完善，以此來適應市場的需要。因此，畫面品質已經成為TFT-LCD在顯示領域的持續(xù)發(fā)展方向。本文重點對改善垂直串擾進行研究，為今后出現的相關問題提供參考。
　　1.在對氮化硅沉積條件進行的分析與研究中，充分分析參數條件變化對薄膜質量的影響情況：

2、(1)隨著溫度的增加，成膜的速率增加，氮化硅薄膜的折射率也隨著溫度的增加而增加；膜的均勻性隨溫度的增加先變好后變差。(2)射頻功率越大，成膜速率越快，而且沉積下來的氮化硅膜結構致密，膜的折射率減小，但是射頻功率不能過大，否則沉積速率過快，導致膜的均勻性降低，結構疏松，鈍化性降低；(3)隨著壓力增加，沉積速率增大，反應壓力要大于1000mtorr保證等離子體在特定結構的反應器中能夠正常且穩(wěn)定的輝光放電；而且從實驗得到的數據顯示，壓力高于1

3、500mtorr時，氮化硅薄膜的均勻性很差，對成膜的質量有很大的不良影響，并且壓力對折射率的影響不大。(4)隨著SiH4/NH3的增加，成膜速率也隨著增加，但是隨著其比例的增加成膜速率的增加變的緩慢，而且為了確保設備正常工作，這個比例應小于240sccm/720sccm；膜的折射率也隨著SiH4/NH3的增加而增加，同時，均勻性也有變好的趨勢。
　　2.在分析PVX鈍化層對TFT特性及陣列結構的影響研究中，在Resin層與S/D層

4、之間加有PVX鈍化層，能夠起到一個連接過渡的作用，改善了Resin與S/D金屬之間直接連接而產生的斷層現象；而且當厚度為300 A左右的情況下，能夠得到較小的漏電流，改善了TFT特性，減小了因TFT漏電而產生的垂直串擾的可能性。
　　3.我們通過對像素結構設計的改變，在工藝允許的情況下，增加Resin厚度、減小Resin材料介電常數或者減小Data與像素電極ITO之間Overlap值，可以達到改善垂直串擾的目的。在實際的測試中將R