1、SnO2壓敏陶瓷是上世紀90年代發(fā)展起來的一種新型壓敏陶瓷材料。跟多相的ZnO壓敏陶瓷相比，SnO2壓敏陶瓷具有相對單一的晶相結構，理論上應具有較大的通流面積。而其熱導率大、耐高溫等優(yōu)點使得在承受過大脈沖電流而失效時不會像ZnO壓敏元件那樣發(fā)生爆炸或穿孔破壞。此外，SnO2壓敏陶瓷還具有較小的晶粒尺寸，這也是其具有較高電位梯度的原因之一。但就目前來說，SnO2壓敏陶瓷的電學性能與ZnO壓敏陶瓷相比還有一定差距，仍處于從研發(fā)到生產的過度階

2、段，因此有待于進一步的改善。本文主要是在前人的研究基礎上選取報道中較好的體系作為基礎體系，對制備工藝進行了改進，并詳細探討了不同氧化物摻雜對SnO2壓敏電阻陶瓷的微觀結構以及電學性能的影響。
　　首先本文對其基礎體系SnO2-Co2O3-Nb2O5-Cr2O3進行了探索研究，詳細分析了基礎體系中Cr2O3的含量對SnO2壓敏電阻的影響，確定了Cr2O3的較優(yōu)含量為0.05mol％，得到基礎體系的較優(yōu)配方:99.15mol％SnO2

3、+0.75mol％Co2O3+0.05mol％Nb2O5+0.05mol％Cr2O3。并對SnO2壓敏電阻的制備工藝進行了改善，通過對造粒工藝以及成型工藝的探討，確定了粘結劑PVA的較優(yōu)含量為0.8wt％，以及較優(yōu)成型壓力為2.5MPa。研究發(fā)現，Cr的摻雜能夠極大的提高SnO2壓敏電阻陶瓷的非線性性能，不同燒結溫度下所得SnO2壓敏電阻陶瓷樣品的電學性能也有很大差別，當燒結溫度為1300℃且Cr2O3含量為0.05mol％時，所得的致

4、密度達到理論密度的94.8％，其非線性系數最高達到27，提高了3倍，漏電流密度也降到了9μA/cm2。
　　其次在基礎體系的基礎上添加不同氧化物。通過添加不同比例的CuO，控制燒結溫度，研究了CuO對SnO2壓敏電阻陶瓷的微觀結構和電學性能的影響。研究表明，CuO的添加促進了SnO2晶粒的增長降低了SnO2壓敏電阻的壓敏電壓。在燒結溫度為1300℃下，CuO含量為0.2mol％時非線性系數的值最大為31，此時漏電流最小為2μA/c

5、m2。此外，通過相同的研究方法研究了MgO的添加對SnO2壓敏電阻陶瓷的微觀結構和電學性能的影響。研究發(fā)現MgO的添加對SnO2壓敏電阻的非線性系數的影響不顯著。但是對SnO2晶粒尺寸的影響較大，隨著MgO的添加量提高2.0％mol時，樣品的壓敏電壓從174V/mm增至531V/mm。在燒結溫度為1350℃下，所得樣品的最高非線性系數為28，漏電流密度最小為7μA/cm2。其綜合性能沒有添加CuO的SnO2壓敏電阻的綜合性能好。這是因為