![](https://static.zsdocx.com/FlexPaper/FileRoot/2019-3/14/17/ff187911-56bf-41a9-b9e9-a819a6a99081/ff187911-56bf-41a9-b9e9-a819a6a99081pic.jpg)
![有機(jī)半導(dǎo)體載流子遷移率的密度泛函研究.pdf_第1頁(yè)](https://static.zsdocx.com/FlexPaper/FileRoot/2019-3/14/17/ff187911-56bf-41a9-b9e9-a819a6a99081/ff187911-56bf-41a9-b9e9-a819a6a990811.gif)
版權(quán)說(shuō)明:本文檔由用戶(hù)提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請(qǐng)進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)
文檔簡(jiǎn)介
1、有機(jī)半導(dǎo)體材料導(dǎo)電性能介于金屬和絕緣體之間。與傳統(tǒng)半導(dǎo)體材料相比,有機(jī)半導(dǎo)體材料具有許多優(yōu)點(diǎn),例如:柔性好,制各工藝簡(jiǎn)單,成本低,可大規(guī)模生產(chǎn)利用。因?yàn)橛袡C(jī)半導(dǎo)體具有如此多的優(yōu)點(diǎn),所以近年來(lái)有機(jī)半導(dǎo)體材料成為研究熱點(diǎn)。
有機(jī)半導(dǎo)體是分子晶體,最小的組成單元是一個(gè)有機(jī)分子,為了得到性能更好的有機(jī)半導(dǎo)體材料,我們可以在特定的位置增加或減少基團(tuán)來(lái)修飾有機(jī)分子。衡量有機(jī)半導(dǎo)體材料性能的重要參數(shù)是載流子遷移率。
本論文以密度泛
2、函理論和Marcus-Hush理論為基礎(chǔ),利用Gaussian和ADF軟件包,對(duì)有機(jī)半導(dǎo)體材料Benzothieno-Benzothiophene(BTBT)載流子遷移率與電荷輸運(yùn)微觀(guān)物理參量——分子間電子耦合(電荷轉(zhuǎn)移積分)與分子內(nèi)振動(dòng)耦合(電荷轉(zhuǎn)移重組能),以及有機(jī)半導(dǎo)體材料內(nèi)部分子堆棧結(jié)構(gòu)參數(shù)(r,θ,γ)之間的關(guān)系進(jìn)行理論研究。并推導(dǎo)其載流子遷移率各向異性方程,此方程可以用來(lái)有效預(yù)測(cè)有機(jī)半導(dǎo)體材料載流子遷移率極值及其方向,同時(shí)可
3、實(shí)現(xiàn)基于BTBT設(shè)計(jì)高性能有機(jī)半導(dǎo)體材料。文中,我們以C8-BTBT,C10-BTBT和C12-BTBT為例討論了BTBT衍生物的載流子遷移率。計(jì)算結(jié)果表明這三種晶體的空穴遷移率(μ hole)遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于它們的電子遷移率(μeletron),這說(shuō)明它們是p-型有機(jī)半導(dǎo)體材料。當(dāng)碳鏈長(zhǎng)度由8變到12時(shí),載流子遷移率也是增大的。載流子遷移率的增大可以歸因于橫向二聚體T和平行二聚體P之間角度θ T1的增大。換句話(huà)說(shuō)就是隨著碳鏈的增長(zhǎng)晶體結(jié)構(gòu)堆積
4、的更加緊密。這種簡(jiǎn)單的計(jì)算模型可以為以后設(shè)計(jì)性能更好的材料提供方法,例如通過(guò)修飾側(cè)邊碳鏈的長(zhǎng)度來(lái)增加載流子遷移率。
本文還利用密度泛函理論并結(jié)合過(guò)渡態(tài)理論研究了一種新型二氧化碳吸附和轉(zhuǎn)化催化劑的催化機(jī)理。眾所周知,CO2是地球上儲(chǔ)量最豐富,最便宜的C1資源,它具有無(wú)毒,不燃燒,可再生等特點(diǎn),但是,CO2也是主要的溫室氣體之一?;谶@些特點(diǎn),CO2化學(xué)已經(jīng)吸引了全世界越來(lái)越多的關(guān)注,通過(guò)化學(xué)技術(shù)實(shí)現(xiàn)碳的捕獲和高效轉(zhuǎn)化是現(xiàn)如今研究
溫馨提示
- 1. 本站所有資源如無(wú)特殊說(shuō)明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請(qǐng)下載最新的WinRAR軟件解壓。
- 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請(qǐng)聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶(hù)所有。
- 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁(yè)內(nèi)容里面會(huì)有圖紙預(yù)覽,若沒(méi)有圖紙預(yù)覽就沒(méi)有圖紙。
- 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
- 5. 眾賞文庫(kù)僅提供信息存儲(chǔ)空間,僅對(duì)用戶(hù)上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對(duì)用戶(hù)上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對(duì)任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
- 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請(qǐng)與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
- 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶(hù)因使用這些下載資源對(duì)自己和他人造成任何形式的傷害或損失。
最新文檔
- 有機(jī)半導(dǎo)體遷移率公式的改進(jìn)及應(yīng)用的研究.pdf
- 幾種有機(jī)半導(dǎo)體分子載流子遷移特性的研究.pdf
- 具有高載流子遷移率的二維半導(dǎo)體材料的設(shè)計(jì)與模擬.pdf
- 應(yīng)變Si載流子遷移率研究.pdf
- 高遷移率半導(dǎo)體材料的自旋注入.pdf
- 雜稠芳環(huán)n型有機(jī)半導(dǎo)體遷移率的理論研究.pdf
- 噻吩及氮雜芳環(huán)半導(dǎo)體材料的結(jié)構(gòu)及載流子遷移率的理論研究.pdf
- 應(yīng)用密度泛函理論研究半導(dǎo)體材料電子性質(zhì).pdf
- 半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)中的電子遷移率及其壓力效應(yīng).pdf
- 有機(jī)半導(dǎo)體中載流子的遷移過(guò)程及其磁場(chǎng)效應(yīng).pdf
- 高壓下纖鋅礦半導(dǎo)體的雜化密度泛函理論研究.pdf
- 基于VI的載流子遷移率測(cè)試系統(tǒng)的研制.pdf
- 有機(jī)半導(dǎo)體載流子注入與傳輸性能的研究.pdf
- 應(yīng)變Ge載流子遷移率散射機(jī)制及模型研究.pdf
- 應(yīng)變硅載流子遷移率增強(qiáng)機(jī)理及模型研究.pdf
- 摻雜型載流子傳輸材料的密度泛函理論研究.pdf
- 二維半導(dǎo)體材料遷移率的第一性原理研究.pdf
- 納米改性變壓器油中載流子遷移率的研究.pdf
- 單軸應(yīng)變硅能帶結(jié)構(gòu)及載流子遷移率研究.pdf
- 應(yīng)變硅MOSFET載流子遷移率增強(qiáng)機(jī)理研究與建模.pdf
評(píng)論
0/150
提交評(píng)論