碳納米管薄膜場致發(fā)射性能的研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、場發(fā)射顯示器(Field Emission Display,F(xiàn)ED)具有輕薄、功耗小、圖像質量好等優(yōu)越性,被認為是下一代理想的平板顯示器。碳納米管的發(fā)現(xiàn),引起了全世界眾多科學家的關注,其優(yōu)異的電學、力學、磁學性能,可以在許多領域得到應用。尤其它具有大的長徑比,低功函數(shù),良好的導電性和納米級尖端,使它能夠在較低的電壓下就能長時間發(fā)射電子,因此被認為是一種優(yōu)良的場發(fā)射陰極材料。
   隨著碳納米管的發(fā)現(xiàn),基于絲網印刷技術的碳納米管場

2、致發(fā)射顯示器件成為目前平板顯示領域的研究熱點。器件性能提高的關鍵是碳納米管陰極場致發(fā)射特性的改善,而更基本的是開發(fā)滿足器件要求的可印制的碳納米管基冷陰極材料。器件實用化的關鍵則是提高大面積場致發(fā)射的均勻性和穩(wěn)定性。在總結場致發(fā)射技術進展和大量前期實驗的基礎上,本論文的研究工作主要是對碳納米管陰極薄膜進行后處理,后處理可極大改善碳納米管薄膜的場發(fā)射性能。本文用氦等離子體燒蝕CNTs薄膜陰極,能增加碳納米管的缺陷,增加電子發(fā)射點數(shù)量,等離子

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