1、半導(dǎo)體納米晶(量子點)是近十幾年來一個活躍的研究領(lǐng)域,通過對納米晶不同于體材料的光物理、光化學(xué)性質(zhì)的研究,發(fā)掘其在新型光電器件方面的實際應(yīng)用.該文對ZnO納米晶的光學(xué)性質(zhì)與生長特性及規(guī)律作了較為詳細(xì)的研究,在此基礎(chǔ)上制備了低電阻率的ZnO透明導(dǎo)電薄膜.主要內(nèi)容如下:1)采用溶膠法在乙醇溶劑中合成了粒徑在2.5~5nm的穩(wěn)定透明的ZnO納米晶膠體.討論了量子限域體系下ZnO納米晶的隨尺寸變化的發(fā)光性質(zhì).得出了激子發(fā)射與吸收峰之間的Stok

2、es移動的規(guī)律和解釋.通過激發(fā)能從發(fā)光光譜的藍(lán)端調(diào)節(jié)到紅端,研究了選擇激發(fā)的光致發(fā)光.2)討論了在不同的制備濃度下(0.1~0.005 M),ZnO納米晶的生長規(guī)律.控制納米晶尺寸增大的主要因素隨濃度變化而不同.用有機配體CH3(CH2)5SH對其包覆后,納米晶的增大得到明顯的抑制.將生長特性與發(fā)光性質(zhì)聯(lián)系起來,并給出了新的解釋.3)在合成的ZnO納米晶的基礎(chǔ)上,采用甩膜的方法制備了ZnO透明導(dǎo)電薄膜.薄膜的結(jié)晶度和表面貌相通過退火得到