1、隨著電子電力技術的不斷發(fā)展，IGBT已經成為許多設備中的核心部件，在很多領域都有著重要的影響?，F(xiàn)在器件都在向大功率發(fā)展，IGBT模塊也應運而生，成為市場上占主導地位的產品。
　　 傳統(tǒng)的IGBT模塊是通過釬焊的方法制造，即使焊膏或預成型釬料薄膜，通過回流焊工藝，熔化并固化成釬料合金，來連接功率模塊中的芯片和基板。這種方法制造的模塊存在壽命短、散熱差的缺點，并且由于釬料熔點的較低，模塊中芯片的結點溫度被限制在150℃以下。而新出現(xiàn)

2、的納米銀焊膏燒結工藝所形成的連接有著良好性能，它通過將銀顆粒的尺寸減小到納米級，實現(xiàn)焊膏的低溫低壓燒結。
　　 在前人的研究之中，已經成功的將納米銀焊膏的低溫燒結工藝應用在了單個大面積芯片的連接之中。但是一個IGBT模塊中含有多個不同厚度的芯片，本文中，研究了將納米銀焊膏的低溫燒結工藝應用于IGBT模塊之中的可行性。
　　 本文的研究工作可以分為三個部分：
　　 首先，研究了IGBT模塊中的IGBT模擬芯片和二極

3、管模擬芯片的制作工藝和方法。本文中使用厚度不同的兩種單晶硅片分別模擬IGBT和二極管，工藝順序是先將硅片切割成目標尺寸再使用磁控濺射進行鍍膜。鍍膜的順序是先在硅片上鍍一層鈦，再鍍一層銀。
　　 其次，設計了模塊的電路和DBC基板的電路圖形，并利用激光刻板機和蝕刻機等設備制作了帶有圖形的DBC基板。模塊中的電路設計應遵循的原則是要對稱布局，這樣可以使得電流在模塊中均勻分布，使得模塊性能得到最大的發(fā)揮。
　　 最后，通過本人