1、雪崩光電二極管具有內(nèi)部增益、高靈敏度等特性，目前在量子保密通信、國防、天文探測(cè)和其他光通信領(lǐng)域得到了越來越廣泛的關(guān)注。雪崩光電二極管的應(yīng)用發(fā)展受到噪聲的影響，其主要來源是散粒噪聲，散粒噪聲對(duì)APD信噪比有很大的影響，而信噪比的主要影響因素是暗電流和APD特有的過剩噪聲。本文分別對(duì)APD暗電流和過剩噪聲特性進(jìn)行了模擬仿真和實(shí)驗(yàn)測(cè)試研究，對(duì)高速低噪聲APD的研制具有指導(dǎo)意義。
　　首先，我們研究了APD電場分布對(duì)暗電流的影響。針對(duì)目前

2、應(yīng)用比較廣泛的平面型InGaAs/InP APD存在的邊緣提前擊穿問題，我們通過COMSOL半導(dǎo)體模塊仿真對(duì)已存在的一種抑制邊緣提前擊穿的方法即添加深保護(hù)環(huán)法進(jìn)行了更深入的研究，研究了深保護(hù)環(huán)的深度、位置對(duì)APD暗電流的影響，發(fā)現(xiàn)在低偏壓下深保護(hù)環(huán)的深度對(duì)APD的暗電流有一定的影響，但隨著偏壓增大差異逐漸減小，而改變深保護(hù)環(huán)與中央結(jié)的距離對(duì)APD的暗電流基本沒有影響，并利用深保護(hù)環(huán)的優(yōu)勢(shì)將其應(yīng)用到垂直入射平面型Si/Ge APD里，從而