1、聚噻吩衍生物P3HT屬于共軛半導體聚合物,電荷傳輸能力高,可達到0.192cm2V-1s-1,禁帶寬度為1.9~2.0eV,常作為電子給體材料而被廣泛應用于光探測器、發(fā)光二級管、聚合物太陽能電池等光伏器件中。當與電子傳輸能力高的受體材料PCBM結合時形成本體異質結結構,可顯著提高器件的光電性能。本文面向光探測器件應用制備了P3HT及P3HT和PCBM共混的納米纖維,研究了其制備工藝、形貌結構和光電性能。利用SEM、FTIR、XRD表征了

2、纖維的微觀形貌、成分和結晶度,利用紫外-可見分光光度計、熒光分光光度計測試了纖維的光學性能,利用半導體參數(shù)測量儀測試了其光電性能。主要研究內容包括：
　?、爬猛S靜電紡絲技術制備了P3HT納米纖維和P3HT/PCBM復合納米纖維,研究了聚合物溶液濃度和溶液供給速率等參數(shù)對纖維形貌的影響。SEM測試表明均勻纖維的形成要求合適的溶液濃度,對于P3HT纖維的制備溶液濃度為3％較好,制備P3HT/PCBM復合纖維時P3HT和PCBM的比

3、例固定為1:1,混合溶液中各自濃度為3%~6%(wt/v)時效果較好。紅外光譜表明混合溶液中P3HT與PCBM只是簡單的機械混合而沒有發(fā)生化學變化,紫外-可見吸收光譜顯示復合納米纖維的吸收光譜是P3HT與PCBM纖維的線性疊加,光致發(fā)光光譜顯示P3HT/PCBM復合納米纖維的峰值位置與P3HT和PCBM的峰值位置相同,只是強度相對降低。
　?、评猛嘶鹛幚砀淖儾牧系慕Y晶結構,對復合納米纖維在50、100、150及200℃下進行了退

4、火處理,研究了退火溫度對纖維性能的影響。SEM觀察顯示退火處理后的纖維形貌發(fā)生明顯變化,XRD結果表明退火提高了纖維的結晶度,紫外-可見吸收光譜表明退火可以提高纖維的光吸收率,光致發(fā)光光譜表明退火可以提高纖維的發(fā)光強度。綜合結果表明,纖維經100℃退火處理后的光電性能最好。
　?、抢冒雽w參數(shù)測量儀對器件的性能進行測試。研究了PCBM加入前后、纖維的排列方式、聚合物溶液的濃度和退火處理對器件光電性能的影響。結果表明, P3HT/