![](https://static.zsdocx.com/FlexPaper/FileRoot/2019-3/14/17/bb790194-e0b5-4fd7-b0ed-c75d10e4fe72/bb790194-e0b5-4fd7-b0ed-c75d10e4fe72pic.jpg)
![RF CMOS片上螺旋電感建模及結(jié)構(gòu)研究.pdf_第1頁(yè)](https://static.zsdocx.com/FlexPaper/FileRoot/2019-3/14/17/bb790194-e0b5-4fd7-b0ed-c75d10e4fe72/bb790194-e0b5-4fd7-b0ed-c75d10e4fe721.gif)
版權(quán)說(shuō)明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請(qǐng)進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)
文檔簡(jiǎn)介
1、無(wú)線通信是一項(xiàng)不可或缺的技術(shù),它的應(yīng)用涵蓋軍事、商業(yè)、民生、學(xué)術(shù)等方面。射頻集成電路(RFIC)是無(wú)線通信系統(tǒng)中的核心電路,也由于硅基技術(shù)固有的低成本和易于批量生產(chǎn)的優(yōu)勢(shì)使得集成電路主要在硅襯底上完成。片上螺旋電感是射頻集成電路上的一個(gè)重要組成部分,螺旋電感經(jīng)常使用在如低噪聲放大器(LNA)、壓控振蕩器(VCO)、混頻器(Mixer)、濾波器(Filter)、功率放大器(PA)中。高性能電感已經(jīng)成為電壓控制振蕩器(VCO)設(shè)計(jì)的關(guān)鍵部件
2、之一,其品質(zhì)因數(shù)(Q)值直接影響VCO的相位噪聲。電感的性能主要由金屬材料與硅襯底的距離決定的,雖然電感布局的優(yōu)化可以改善它的性能,但是改進(jìn)布局是有技術(shù)瓶頸的。因此,有效地分析并獲得硅襯底在片螺旋電感的電路模型及其參數(shù),掌握電感性能隨工作頻率改變的特性,以用于電感的設(shè)計(jì)和優(yōu)化,已成為實(shí)現(xiàn)硅襯底射頻/毫米波集成電路的一個(gè)非常重要的課題。本文重點(diǎn)是針對(duì)提高電感性能的研究,不同圖案化接地屏蔽(PGS)對(duì)Q值的影響。
本文介紹了片上電
3、感的類型與劃分的方法,分析了電感的電學(xué)特性,給出了性能參數(shù),總結(jié)了電感損耗機(jī)理和建模方法。本文詳細(xì)分析了電感的各類損耗機(jī)理對(duì)片上電感的影響,如金屬導(dǎo)體損耗和半導(dǎo)體襯底損耗。研究了電磁仿真建模方法、行為模型和等效電路模型,總結(jié)了其應(yīng)用范圍的優(yōu)缺點(diǎn)。
在了解電感的各類損耗機(jī)制與模型的建立之后,利用雙π結(jié)構(gòu)的建模方法建立電感模型,并對(duì)電感進(jìn)行了物理層面上的分析以及搭建方程。文章介紹了電感的工藝參數(shù)與版圖結(jié)構(gòu),最后在ICCAP中進(jìn)行仿
4、真擬合。本文詳細(xì)介紹了Scalable模型庫(kù)的建立,即可縮放的模型。我們使用了經(jīng)驗(yàn)方法,對(duì)一批對(duì)稱電感進(jìn)行參數(shù)的提取與優(yōu)化,總結(jié)了這些元件值所擁有的規(guī)律,而且這個(gè)模型中所有的參數(shù)值都是基于物理計(jì)算得到,它們的元件值都與螺旋電感的工藝參數(shù)與版圖的尺寸相互關(guān)聯(lián),最后,我們?cè)趦?yōu)化時(shí)增加了一部分的優(yōu)化系數(shù),在優(yōu)化時(shí)進(jìn)一步提高了擬合的精度。
最后本文對(duì)電感的PGS結(jié)構(gòu)進(jìn)行了優(yōu)化設(shè)計(jì),并且介紹了可以優(yōu)化電感的各類因素以及優(yōu)化方法。文章在H
溫馨提示
- 1. 本站所有資源如無(wú)特殊說(shuō)明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請(qǐng)下載最新的WinRAR軟件解壓。
- 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請(qǐng)聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
- 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁(yè)內(nèi)容里面會(huì)有圖紙預(yù)覽,若沒(méi)有圖紙預(yù)覽就沒(méi)有圖紙。
- 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
- 5. 眾賞文庫(kù)僅提供信息存儲(chǔ)空間,僅對(duì)用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對(duì)用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對(duì)任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
- 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請(qǐng)與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
- 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對(duì)自己和他人造成任何形式的傷害或損失。
最新文檔
- RF CMOS片上電感結(jié)構(gòu)及其模型的研究.pdf
- RF-CMOS片上螺旋電感模型及模型庫(kù)的開發(fā).pdf
- CMOS RF螺旋電感和VCO的設(shè)計(jì)與優(yōu)化.pdf
- 射頻片上螺旋電感建模、優(yōu)化設(shè)計(jì)及其應(yīng)用.pdf
- CMOS RF電感的設(shè)計(jì)與模擬.pdf
- 射頻片上螺旋電感的結(jié)構(gòu)優(yōu)化設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn).pdf
- 片上螺旋電感的電磁特性分析.pdf
- CMOS高速限幅放大器芯片及片內(nèi)多層螺旋電感研究.pdf
- 高性能硅基RFICs中片上螺旋電感的設(shè)計(jì)、建模及參數(shù)提取分析.pdf
- 片上多層電感的建模與應(yīng)用研究.pdf
- RF CMOS片上變壓器及模型研究.pdf
- 基于RF CMOS工藝的平面螺旋差分電感的參數(shù)化等效電路模型.pdf
- 基于厚銅工藝的高性能片上螺旋電感研究.pdf
- 射頻片上螺旋電感的模型分析與優(yōu)化設(shè)計(jì).pdf
- 硅基片上螺旋電感的設(shè)計(jì)、建模和參數(shù)提取.pdf
- CMOS平面螺旋電感的設(shè)計(jì)及其應(yīng)用.pdf
- RF CMOS工藝肖特基二極管特性及建模研究.pdf
- 硅基片上螺旋電感建模及其在射頻芯片中的應(yīng)用.pdf
- 硅基螺旋電感和GaAs HEMT建模研究.pdf
- 面向超寬帶低噪聲放大器的片上螺旋電感分析及優(yōu)化.pdf
評(píng)論
0/150
提交評(píng)論