1、由于稀磁半導(dǎo)體材料同時(shí)具備電子電荷屬性和自旋屬性，具有廣闊的應(yīng)用前景，這類材料被許多科學(xué)家廣泛關(guān)注。特別是稀磁半導(dǎo)體材料的寬禁帶、高激子結(jié)合能等綜合性能已成為近期人們研究的熱點(diǎn)之一。本課題借助計(jì)算機(jī)模擬，利用基于密度泛函理論的第一性原理計(jì)算，結(jié)合尋求摻雜對(duì)ZnO體系鐵磁性能的影響和摻雜體系的傳導(dǎo)機(jī)理，從單摻雜和共摻雜兩個(gè)方面對(duì)摻雜ZnO半導(dǎo)體的電子結(jié)構(gòu)理論計(jì)算研究。
　　 首先，計(jì)算是基于密度泛函理論(DFT)的全勢(shì)線形綴加平面

2、波(FP-LAPW)的方法。通過(guò)對(duì)Cr單摻雜ZnO體系的計(jì)算指出了隨著Cr的摻雜，決定帶隙寬度的導(dǎo)帶底的位置下降，同時(shí)價(jià)帶頂?shù)奈恢蒙仙瑥亩鴮?dǎo)致了帶隙的消失。由于存在雙交換作用，使得摻雜體系具有鐵磁性。
　　 其次，通過(guò)對(duì)Li摻雜ZnO體系的計(jì)算，指出了Li摻雜ZnO體系中，LiZn與Lii相互補(bǔ)償作用比較強(qiáng)烈，其中LiZn缺陷是p型傳導(dǎo)，Lii缺陷會(huì)對(duì)p型傳導(dǎo)起消極作用。
　　 最后，通過(guò)對(duì)(Li，N)雙受主共摻雜Zn