1、隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷發(fā)展，半導(dǎo)體材料已經(jīng)發(fā)展到了第三代，GaN單晶體材料憑借其優(yōu)越的性能，成為第三代半導(dǎo)體材料中迄今理論上電光轉(zhuǎn)換效率最高的材料體系。MOCVD技術(shù)主要用于生長高質(zhì)量的GaN薄膜材料。氫化物氣相外延（HVPE）技術(shù)是制備GaN襯底的主要方法，研究HVPE技術(shù)，并將其與MOCVD技術(shù)結(jié)合，從而實現(xiàn)同質(zhì)外延，是一項比較迫切并且有意義的研究工作。
　　本文首先介紹了MOCVD和HVPE技術(shù)在LED半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中的應(yīng)用，以及

2、發(fā)展HVPE進行氮化鎵制備的意義。簡單介紹了HVPE技術(shù)原理進行，并對實現(xiàn)氮化鎵襯底批量生產(chǎn)問題，介紹了本課題組設(shè)計的新型HVPE反應(yīng)腔體。提出了將該新型HVPE反應(yīng)腔和MOCVD反應(yīng)腔結(jié)合的雙腔體設(shè)備方案，以實現(xiàn)氮化鎵襯底制備和LED結(jié)構(gòu)生長的流水線式生產(chǎn)。
　　其次，對MOCVD源氣輸送系統(tǒng)設(shè)計提出了分離式管路設(shè)計思路，以滿足大腔體和多腔體設(shè)備對大流量源氣的設(shè)計要求。并且對MOCVD和HVPE雙腔體源氣輸送系統(tǒng)進行了分離式設(shè)計