1、CdZnTe薄膜材料具有原子序數(shù)較大、電阻率較高（可達(dá)109Ω·cm甚至更高）和禁帶寬度較大等優(yōu)點(diǎn)，可應(yīng)用于天文、醫(yī)學(xué)和太陽能等諸多領(lǐng)域。金屬誘導(dǎo)法采用鋁、銅、鎳等金屬，將其沉積到薄膜上或注入到薄膜內(nèi)部，可達(dá)到降低薄膜結(jié)晶溫度、增強(qiáng)結(jié)晶能力的目的。本文以Cd0.9Zn0.1Te晶體為靶材，結(jié)合金屬誘導(dǎo)法，采用射頻磁控濺射制備CdZnTe薄膜，探索CdZnTe薄膜制備的新工藝。
　　 本文以物理氣相沉積和金屬誘導(dǎo)結(jié)晶理論為基礎(chǔ)，采

2、用磁控濺射法在襯底上制備了CdZnTe先驅(qū)膜/鋁誘導(dǎo)膜的層疊結(jié)構(gòu)，在低溫條件下通過金屬誘導(dǎo)晶化實(shí)現(xiàn)了高質(zhì)量結(jié)晶的CdZnTe薄膜的制備。采用X射線衍射儀(XRD)、原子力顯微鏡(AFM)、掃描電鏡(SEM)、電子探針(EPMA)、紫外可見光分光光度計(jì)(UV-VIS)等分析測試了薄膜的結(jié)構(gòu)及性能。研究了磁控濺射工藝參數(shù)對CdZnTe先驅(qū)膜結(jié)構(gòu)及性能的影響。結(jié)果表明:在射頻濺射功率80W、氬氣壓強(qiáng)1.5Pa、濺射時間1h、襯底溫度200℃、

3、靶間距5.5cm的條件下制得的CdZnTe薄膜結(jié)構(gòu)和性能較好，可用作鋁誘導(dǎo)制備CdZnTe薄膜的先驅(qū)膜。結(jié)合金屬鋁誘導(dǎo)工藝，研究了鋁濺射功率、濺射時間、退火時間變化對CdZnTe薄膜結(jié)構(gòu)與性能的影響。初步探討了鋁誘導(dǎo)晶化法制備CdZnTe薄膜的結(jié)晶機(jī)理，認(rèn)為鋁誘導(dǎo)晶化主要是依靠鋁與ZnTe反應(yīng)形成的ZnAlTe相，并以其為結(jié)晶中心，誘導(dǎo)CdZnTe薄膜進(jìn)行重結(jié)晶，從而提高了薄膜的結(jié)晶質(zhì)量，進(jìn)而提高了薄膜的電阻率。經(jīng)過鋁誘導(dǎo)后，薄膜的電阻