1、薄膜太陽能電池作為一種新的能源材料正在得到迅速的發(fā)展和進步，CdS多晶薄膜太陽能電池由于具有成本低廉、性能穩(wěn)定、工藝簡單等特點受到了廣泛重視。其中，CdS薄膜既作為CuInGaSe多晶薄膜太陽能電池p-n結(jié)的n型材料，也作為電池的窗口層，其質(zhì)量直接影響薄膜的制備，更重要的是影響電池的光電轉(zhuǎn)換效率及其壽命。
　　本文采用化學(xué)水浴法沉積CdS薄膜，探討了成膜溶液的溫度、pH值、反應(yīng)物濃度(包括硫脲及硫酸鎘濃度)等條件對CdS薄膜質(zhì)量的

2、影響，并對薄膜進行不同條件的熱處理，著重研究低溫下CdS薄膜的制備。經(jīng)XRD、SEM、霍爾效應(yīng)測試等多種分析方法對退火前后樣品的形貌、結(jié)構(gòu)和性能進行了分析，得到以下結(jié)果：經(jīng)過后期退火處理后，薄膜的性能有所改變。退火后，CdS薄膜的晶體結(jié)構(gòu)不會改變，透過率由80％降低至70%左右，禁帶寬度由2.70eV降低到2.55eV左右，薄膜表面形貌均勻、致密，晶粒顆粒呈圓形，薄膜透過率下降。經(jīng)CdCl2退火處理后的CdS薄膜的摻雜濃度升高，透過率曲

3、線在禁帶寬度附近得到了明顯的改善。
　　由XRD分析可以確定CdS薄膜沿著(111)方向高度擇優(yōu)取相，屬于立方相結(jié)構(gòu)，退火處理不會改變晶體結(jié)構(gòu)，說明CdS薄膜部分重結(jié)晶，并未發(fā)生相變。在沉積CdS薄膜的過程中，沉積時間超過30分鐘時，硫化鎘薄膜厚度不再發(fā)生變化。在沉積時間為24分鐘時，CdS薄膜厚度達到最大156nm，此后膜厚將不會改變。當沉積溫度為75℃；PH值為9.381；CdSO4濃度是0.004mol/L、硫脲濃度是0.1