1、伴隨著微電子技術以及半導體工藝的迅猛發(fā)展，電源管理類芯片已廣泛應用于通信網(wǎng)絡、計算機以及汽車電子等諸多產(chǎn)品領域。近年來，高效率、大負載、高集成成為DC-DC變換器的新趨勢。本文緊跟市場發(fā)展動向，從以上應用角度出發(fā)，著力研究降壓型DC-DC涉及的關鍵技術以及電路結構，解決相關技術難題。研究成果包括：
　　 1、優(yōu)化PWM控制結構提高輕負載效率
　　 提出了一種有效提高輕負載效率的省電模式結構，通過在待機狀態(tài)與固定峰值兩種狀

2、態(tài)間反復切換工作，大大降低了輕負載時的平均靜態(tài)損耗以及開關損耗，實現(xiàn)了全負載范圍內(nèi)的高效率，延長了電池的使用時間，利于便攜式應用。
　　 2、消除斜坡補償對帶載影響
　　 提出了一種消除斜坡補償對帶載影響的新方法。通過提高箝位電壓，增加環(huán)路檢測電感電流的真實最大值，并進行限制保護，從而克服了占空比變化對峰值電流和帶載能力的影響。同時通過計數(shù)器的數(shù)字方式實現(xiàn)了對箝位電壓的自動控制，避免了箝位電壓過高造成的響應速度過慢問題。

3、
　　 3、新穎的電流采樣電路
　　 提出了一種新穎的CMOS片上電流采樣電路。該電路結構簡單，易于集成，功率損耗小，且通過MOSFET的匹配使采樣比例幾乎不受溫度、模型以及電源電壓變化影響。并通過進一步的優(yōu)化設計，使得響應速度更快，工作電壓進一步降低。該電路可實現(xiàn)較小的采樣比例，適用于低壓大電流應用。
　　 4、實現(xiàn)片內(nèi)頻率補償
　　 提出了一種適用于電流模DC-DC的片內(nèi)頻率補償結構。針對其采用低ES

4、R陶瓷輸出電容的特點，通過片內(nèi)集成的阻容網(wǎng)絡，完成了環(huán)路的頻率補償，克服了穩(wěn)定性對輸出負載的依賴，減少了芯片引腳，節(jié)省了PCB面積，實現(xiàn)了芯片的高穩(wěn)定性。同時通過優(yōu)化反饋網(wǎng)絡設計，實現(xiàn)了交越頻率不隨輸出電壓變化，進一步改進了階躍響應。
　　 5、片內(nèi)軟啟動電路設計
　　 提出了兩種可片內(nèi)集成的軟啟動電路。第一種是臺階軟啟動方法，通過控制箝位電壓臺階狀上升實現(xiàn)電感電流的逐步增大；第二種是線性軟啟動方法，通過芯片內(nèi)部振蕩器產(chǎn)

5、生的窄脈沖信號，控制微電流對片內(nèi)電容進行間歇充電，得到了近似線性上升的電壓信號，并利用復合比較器實現(xiàn)了對峰值電流的限制，避免了浪涌電流。兩種方法占用面積均很小，適于片內(nèi)集成。
　　 6、抗干擾電流采樣電路
　　 提出了一種CMOS片上抗干擾電流采樣電路。該電路基于廣泛采用的傳統(tǒng)電流采樣結構，通過增加片內(nèi)電容以及單穩(wěn)電路，提高了采樣電路的抗噪性能。并通過引入電流失調(diào)，使得響應速度更快。該結構簡單實用，易于集成，適用于單片集