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![連接孔干法蝕刻工藝的研究與改善.pdf_第1頁(yè)](https://static.zsdocx.com/FlexPaper/FileRoot/2019-3/14/17/633f9fb0-d5c6-439f-9391-2670a2d6f011/633f9fb0-d5c6-439f-9391-2670a2d6f0111.gif)
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文檔簡(jiǎn)介
1、在全球信息產(chǎn)業(yè)高速發(fā)展的現(xiàn)今社會(huì),納米技術(shù)時(shí)代的來(lái)臨已經(jīng)成為世界半導(dǎo)體集成電路制造技術(shù)發(fā)展的必然。一直以來(lái),世界集成電路產(chǎn)業(yè)迅猛的發(fā)展速度幾乎高于國(guó)民經(jīng)濟(jì)增長(zhǎng)速度的3倍,這種新型的技術(shù)、新興的產(chǎn)品層出不窮。到目前為止,0.13-0.25微米的線寬技術(shù)是國(guó)際半導(dǎo)體集成電路主流技術(shù),而0.065-0.13微米的線寬技術(shù)堪稱世界頂尖。線寬做得越來(lái)越小,芯片集成度越來(lái)越高,對(duì)工藝水平的要求也隨之不斷的提高。對(duì)于一個(gè)芯片制造企業(yè)而言,生產(chǎn)效率和工
2、藝品質(zhì)是其在行業(yè)中立足之本,是其獲得利益最大化的關(guān)鍵所在。良品率高,Cycle time短,意味著在有限的時(shí)間和資源面前能夠創(chuàng)造出更多的價(jià)值,獲取更多的利潤(rùn)。
干法蝕刻貫穿于芯片生產(chǎn)的始終,蝕刻工程中缺陷的存在必然導(dǎo)致產(chǎn)品良率的降低。有些缺陷是客觀條件無(wú)法解決而必然存在的,比如晶圓本身的物理缺陷。而大部分缺陷是可以通過(guò)改善工藝而完美解決的。研究這些缺陷的產(chǎn)生與解決方案對(duì)于提高產(chǎn)品良率意義重大。
本文中首先對(duì)微電子技術(shù)
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