1、元器件鍍層的Sn須生長可靠性問題嚴重威脅著電子產品及其相關的硬件產品。50多年以來，關于鍍層Sn須的生長理論不斷發(fā)展。人們一直采用在Sn鍍層中加入Pb的方式緩解Sn須生長。然而，隨著無鉛法令的施行，Sn及Sn基鍍層又重新面臨嚴重可靠性問題。
　　 論文依據JEDEC標準對工業(yè)生產條件下的幾種常用封裝形式的電子元器件進行Sn須加速測試，研究在Cu引線框架表面電鍍純Sn層的Sn須生長現(xiàn)象及機理；并通過對比試驗確定各生產工藝過程因素對

2、Sn須生長的影響，從而得到實際生產中控制Sn須生長的一些有效方法。
　　 試驗結果發(fā)現(xiàn)在溫度循環(huán)，室溫儲存和高溫高濕儲存3種不同的加速條件下，Sn須生長特點規(guī)律各異。溫度循環(huán)條件下，Sn須生長的孕育期較短，速率快，密度大，長度較短且一致；鍍層表面出現(xiàn)獨特的凹坑現(xiàn)象。室溫儲存和高溫高濕儲存條件下，Sn須生長在3-4個月時由孕育階段的緩慢生長期轉為快速生長階段。
　　 進一步的微區(qū)XRD應力測試、Sn/Cu界面金屬間化合物的

3、AFM生長等實驗和分析表明不同加速條件的Sn須生長機理不同。室溫儲存條件下，Sn須生長的驅動力較為單一，高溫高濕儲存條件下，Sn須生長的驅動力較為復雜。溫度循環(huán)條件下，Sn須生長的驅動力更為復雜。
　　 3組工藝對比試驗，考察工藝生產過程中塑封和機械沖壓成型對鍍層Sn須生長的影響。對比試驗結果顯示環(huán)氧樹脂/鍍層界面和無環(huán)氧樹脂/鍍層界面Sn須生長結果類似，塑封對鍍層Sn須生長的影響可以忽略。機械沖壓應力對鍍層的宏觀殘余應力狀態(tài)影