1、以重?fù)脚鹬崩瓎尉Ч杵瑸橐r底的p/p+外延片用于制造集成電路時(shí)，可避免CMOS器件的閂鎖效應(yīng)。因此重?fù)脚鹬崩鑶尉且环N重要的硅材料。重?fù)脚鸪颂岣邌尉Ч璧碾妼?dǎo)率以外，還會(huì)對(duì)單晶硅的缺陷產(chǎn)生影響。本論文研究了重?fù)脚饘?duì)直拉單晶硅中的位錯(cuò)和氧沉淀的影響，得到如下主要結(jié)論：
　　 (1)對(duì)重?fù)脚鹬崩瓎尉Ч柚性诲e(cuò)的形成進(jìn)行了研究。結(jié)果表明，當(dāng)硼的摻雜濃度高于7×1019 cm-3時(shí)，單晶硅中產(chǎn)生原生位錯(cuò)，它們以一定的形態(tài)集中分布于晶體

2、截面的某些位置而不擴(kuò)展到整個(gè)截面。將存在原生位錯(cuò)的硅片進(jìn)行多種條件下的退火，結(jié)果顯示：高溫?zé)崽幚砜墒乖诲e(cuò)減少，特別是在1000℃保溫1小時(shí)后原生位錯(cuò)幾乎消失。
　　 (2)研究了重?fù)脚饘?duì)單晶硅中位錯(cuò)運(yùn)動(dòng)的影響。結(jié)果表明：高濃度的硼雜質(zhì)對(duì)位錯(cuò)滑移具有一定的釘扎作用。單晶硅中硼的濃度越高，位錯(cuò)滑移激活能越大，位錯(cuò)滑移速度越慢，位錯(cuò)滑移距離的最大值越小，且到達(dá)該最大值所需的熱處理時(shí)間越長(zhǎng)。
　　 (3)研究了不同摻雜濃度的