1、該論文采用脈沖激光沉積(PLD)方法和各種現(xiàn)代的特征化技術(shù)對(duì)在(100)SrTiO<,3>單晶基片上Pb(Zr<,53>Ti<,47>)O<,3>(PZT)/YBa<,2>Cu<,3>O<,7-δ>(YBCO)異質(zhì)結(jié)的生長(zhǎng)機(jī)理、微觀結(jié)構(gòu)與物理性質(zhì)進(jìn)行了系統(tǒng)的研究.以優(yōu)化的沉積參數(shù),制備了適宜于薄膜器件應(yīng)用的高質(zhì)量的PZT/YBCO異質(zhì)結(jié).運(yùn)用XRD,AFM,SEM,TEM和RBS等分析手段對(duì)所制備異質(zhì)結(jié)的結(jié)構(gòu)、形貌和界面狀態(tài)進(jìn)行了表征.

2、運(yùn)用變溫綜合測(cè)試系統(tǒng)研究了PZT/YBCO異質(zhì)結(jié)在YBCO超導(dǎo)轉(zhuǎn)變溫區(qū)電容的躍變現(xiàn)象.以一個(gè)等效物理參數(shù)模型對(duì)其進(jìn)行了定量描述.運(yùn)用導(dǎo)電原子力顯微鏡研究了PZT/YBCO異質(zhì)結(jié)上漏電流的不均勻性.盧瑟福背散射(RBS)測(cè)量結(jié)果和TEM分析表明,這種不均勻是由于樣品退火造成界面的互擴(kuò)散引起的.該論文發(fā)展了一種新的微區(qū)漏電-鐵電關(guān)聯(lián)的分析方法.運(yùn)用一臺(tái)經(jīng)改進(jìn)的原子力顯微鏡首次實(shí)現(xiàn)了對(duì)異質(zhì)結(jié)樣品微區(qū)形貌和漏電流的不均勻性、樣品形貌及樣品鐵電性