碳化硅器件技術及特性的模擬與實驗研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、該文主要研究了碳化硅場效應器件的特性和器件制作的工藝技術.根據(jù)半導體器件物理理論,推導和編程計算了n溝6H-SiC MOSFET的閾值電壓和非飽和區(qū)跨導的主要解析公式,并結合二維器件仿真軟件MEDICI模擬研究,對n溝6H-SiC MOSFET的閾值電壓和跨導的溫度特性進行了詳細探討.研究表明界面陷阱密度、體內雜質不完全離化以及表面空間電荷層雜質離化程度對器件閾值電壓溫度特性都有一定的影響;而器件的非飽和區(qū)跨導隨著溫度的上升都出現(xiàn)先上升

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