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![垂直取向CoPt納米復合膜超高密度垂直磁記錄介質的研究.pdf_第1頁](https://static.zsdocx.com/FlexPaper/FileRoot/2019-3/16/17/abe54ffc-103c-4b2b-8ee3-1349eadb587b/abe54ffc-103c-4b2b-8ee3-1349eadb587b1.gif)
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文檔簡介
1、隨著記錄密度的進一步提高,傳統(tǒng)的磁存儲以及光存儲受到了超順磁效應及光學衍射極限等問題的限制,熱輔助磁記錄以及垂直磁記錄等技術有望實現(xiàn)超高密度磁記錄。L10結構的CoPt(FePt)合金具有高達5J/cm3(6.6-10J/cm3)的垂直磁各向異性能,因此很適合作為熱輔助磁記錄以及超高密度垂直磁記錄介質材料。本文采用磁控濺射的方法制備了一系列CoPt納米復合膜,并結合熱輔助磁記錄以及超高密度垂直磁記錄介質的特性做了一系列的研究,得到了一系
2、列有意義的結果。 (1)采用磁控濺射多層膜先驅體結合真空退火的方法制備了CoPtCu納米薄膜,并研究了退火溫度等制備條件對薄膜結構與性能的影響。研究表明,退火后的CoPtCu納米薄膜在常溫下具有很大的矯頑力Hc(9.1kOe)以及很高的飽和磁化強度Ms(600emu/cm3),能夠很好地滿足熱輔助磁記錄方式對記錄介質在常溫下的部分要求,但其溫度特性以及其它性能還有待進一步研究。 (2)作者采用Ag作為非磁性基質,利用磁控
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