1、建立在磁光克爾效應(yīng)基礎(chǔ)上的磁光存儲技術(shù)兼有磁存儲和光存儲的優(yōu)點。藍光技術(shù)和超分辨讀出技術(shù)是提高磁光存儲密度的兩個重要手段，為了能進一步提高其存儲密度，研究提出將兩者的優(yōu)勢相結(jié)合，以期制備出具有更高存儲密度的藍光超分辨存儲介質(zhì)，這對于磁光存儲技術(shù)的發(fā)展具有重要的意義。 本工作采用直流磁控濺射法制備了Pt3Co/TbFeCo和NdGdFeCo/TbFeCo交換耦合雙層薄膜，利用表面磁光克爾效應(yīng)(SMOKE)系統(tǒng)、振動樣品磁強計(VS

2、M)、Kerr譜儀等儀器測試了薄膜的磁及磁光性能，同時研究了雙層薄膜的藍光超分辨交換耦合性能。并對單層膜的制備工藝對性能的影響做了深入的研究。 通過制備工藝的調(diào)整，得到了平面磁化的Pt3Co與NdGdFeCo合金薄膜，垂直磁化的TbFeCo非晶合金薄膜。在80W、3.0Pa，基片溫度300℃生長10nm條件下制備得到了Pt3Co合金薄膜，其特性為：Tc=160℃、Hc=100Oe。在60W、0.8Pa室溫下生長50nm條件下制備

3、得到了Nd12Gd23(Fe75Co25)65非晶合金薄膜，其特性為：Hc=3000e、θk=0.42°(λ=300nm)、Tcomp=90℃的。在60W、1.0Pa室溫下生長50nm條件下制備得到了Tb20(Fe85Co15)80非晶合金薄膜，其特性為：Hc=3500Oe、Tcomp小于室溫、Tc≈250℃的。各薄膜的性能表明，Pt3Co和NdGdFeCo合金薄膜可以作為藍光超分辨的讀出層，TbFeCo合金薄膜為記錄層介質(zhì)。

4、通過對耦合雙層膜中各單層膜工藝的調(diào)整，首次在不間斷真空的條件下制備了Pt3Co/TbFeCo和NdGdFeCo/TbFeCo雙層薄膜。Pt3Co/Tb20(Fe85Co15)80雙層薄膜在160℃時讀出層(Pt3Co)磁化方向由平面變?yōu)榇怪迸c記錄層方向一致；當Nd12Gd23(Fe75Co25)65/Tb20(Fe85Co15)80雙層薄膜在溫度為90℃時，讀出層(Nd12Gd23(Fe75Co25)65)磁化方向轉(zhuǎn)變成與記錄層方向一致