1、SiC材料具有寬帶隙、高臨界擊穿電場(硅的10倍)、高熱導率(硅的3.3倍)、高載流子飽和漂移速率(硅的2.5倍)等優(yōu)點，所以在高頻、大功率、抗輻射、抗腐蝕、耐高溫、低損耗的電子器件領域中具有非常廣泛的應用前景。本論文主要利用二次離子質(zhì)譜方法(SIMS)分析研究了SiC材料的雜質(zhì)含量，重點分析摻釩碳化硅中釩的含量及性質(zhì)。
　　 近年來隨著碳化硅半導體技術(shù)的不斷提高和完善，低阻的碳化硅晶體在制作功率器件方面已經(jīng)取得較大進展。但是半

2、絕緣SiC材料對SiC器件的制作和性能具有更重要的意義，特別是對功率器件、亞深微米器件和微波功率器件更是如此.半絕緣材料既可以做器件的襯底，又可以做器件間的隔離.更重要的是，無論從電特性還是導熱特性來講，半絕緣碳化硅材料都是在光電子和微波功率器件中具有重大應用前景的另一種寬禁帶半導體材料GaN最好的襯底材料。因此研究和制作半絕緣碳化硅材料就顯得尤為重要。
　　 在半絕緣碳化硅材料的制備工藝中，釩被用來作為高阻特性的摻雜元素，通過

3、摻雜工藝控制釩在碳化硅中濃度達到半絕緣特性。因此，在實際應用中不論是原位摻雜還是離子注入獲得半絕緣碳化硅，釩雜質(zhì)含量的定量控制都是最終獲得高性能、低缺陷半絕緣材料的必要條件。
　　 本文在總結(jié)了SiC材料的特性，研究了其單晶生長，分析討論了SiC材料的晶體結(jié)構(gòu)及多形體特性，SiC材料的電學熱學特性以及其與SiC器件性能的關(guān)系的基礎上，形成了以下的研究成果：
　　 (1)對釩摻雜SiC半絕緣材料的補償機理和物理特性進行了詳