無(wú)線通信用頻率合成器的研究與設(shè)計(jì).pdf_第1頁(yè)
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1、在無(wú)線通信系統(tǒng)中,射頻接收機(jī)位于整個(gè)系統(tǒng)的最前端。鎖相環(huán)型頻率合成器在射頻接收機(jī)中提供接收機(jī)變頻所需的本振信號(hào),并根據(jù)信道規(guī)劃產(chǎn)生不同頻率的振蕩信號(hào),起著非常重要的作用。無(wú)線通信系統(tǒng)的蓬勃發(fā)展,對(duì)鎖相技術(shù)要求也越來(lái)越高?,F(xiàn)在的鎖相環(huán)(PLL)芯片向著頻率高、頻帶寬、集成度大、功耗低、成本低和功能強(qiáng)等方向發(fā)展,而電荷泵型鎖相環(huán)(CPPLL)又以其鎖定相差小和捕獲范圍大等優(yōu)點(diǎn)成為當(dāng)前鎖相環(huán)電路的主流。本文對(duì)鎖相環(huán)型頻率合成器的一些關(guān)鍵技術(shù)展

2、開(kāi)全面的討論和研究。
   首先對(duì)鎖相環(huán)的基本工作原理和結(jié)構(gòu)進(jìn)行了分析,對(duì)無(wú)源二階、三階及四階電荷泵鎖相環(huán)電路線性特性進(jìn)行了研究。其次,分析了鎖相環(huán)的非線性特性,詳細(xì)推導(dǎo)了二階電荷泵鎖相環(huán)的捕捉帶、拉出范圍及鎖定時(shí)間等關(guān)鍵參數(shù);采用Matlab加Simulink的方法對(duì)鎖相環(huán)的動(dòng)態(tài)模型進(jìn)行了分析和仿真,對(duì)CPPLL中的主要環(huán)路參數(shù)的變化與環(huán)路穩(wěn)定性之間的關(guān)系進(jìn)行了直觀的分析。
   本文對(duì)鎖相環(huán)頻率合成器中的噪聲模型進(jìn)行

3、了研究,對(duì)鎖相環(huán)頻率合成器芯片中不同的噪聲源對(duì)系統(tǒng)性能的影響進(jìn)行了分析,特別是對(duì)電壓控制振蕩器的相位噪聲的產(chǎn)生機(jī)理以及它在通信系統(tǒng)中的影響進(jìn)行了討論,介紹和比較了Leeson模型和Hajimiri提出的線性時(shí)變模型。
   本文對(duì)應(yīng)用于2.4GHz低功耗鎖相環(huán)電路進(jìn)行了研究與設(shè)計(jì)。在傳統(tǒng)邊沿觸發(fā)PFD結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上,給出了一種基于TSPC(true single phase clocking)動(dòng)態(tài)結(jié)構(gòu)D觸發(fā)器式高精度PFD的設(shè)計(jì)。

4、該電路具有功耗低、速度快、結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單等優(yōu)點(diǎn)。同時(shí),優(yōu)化PFD復(fù)位延時(shí)電路,克服了PFD和CP的死區(qū)。另外,采用與電源無(wú)關(guān)的基準(zhǔn)電流源電路,運(yùn)用運(yùn)算放大器和自偏置高擺幅共源共柵電流鏡電路實(shí)現(xiàn)了電荷泵充放電電流的高度匹配。該電荷泵具有靜態(tài)功耗低、速度快、線性度高、電流匹配性能好等特點(diǎn)。設(shè)計(jì)了一種全集成交叉耦合變壓器反饋的LC壓控振蕩器(LC-VCO)。該VCO即使在電源電壓低于閾值電壓的情況下實(shí)現(xiàn)了低功耗和低相位噪聲。該低功耗的VCO采用SM

5、IC0.18μm數(shù)?;旌吓cRF1P6M CMOS工藝進(jìn)行了流片驗(yàn)證。測(cè)試結(jié)果表明:電路在0.4V電源供電和工作頻率為2.433GHz時(shí),相位噪聲為-125.3dBc/Hz@1MHz,核心直流功耗僅為640μW。芯片的工作頻率范圍為2.28~2.48GHz,即調(diào)諧范圍為200MHz(8.7%),電路優(yōu)值為-193.7dB,信號(hào)的輸出功率約為1dBm。
   本文對(duì)頻率合成器中下分頻模塊的設(shè)計(jì)進(jìn)行了研究,提出了一種具有改進(jìn)結(jié)構(gòu)的D觸

6、發(fā)器。以這種D觸發(fā)器為基礎(chǔ)分別實(shí)現(xiàn)了用于WLAN接收機(jī)中的頻率綜合器下分頻模塊的雙模分頻器。采用相同的工藝實(shí)現(xiàn)了用于無(wú)線局域網(wǎng)802.11a射頻接收機(jī)的、工作在4GHz頻段的鎖相環(huán)頻率合成器。測(cè)試結(jié)果表明:該頻率合成器的鎖定范圍為4096~4288MHz。在振蕩頻率為4.154GHz時(shí),偏離中心頻率1MHz處的相位噪聲可以達(dá)到-117dBc/Hz。芯片面積為0.675mm×0.700mm。采用1.8V的電源供電,核心部分的功耗約為24m

7、W,輸出的功率約為-2dBm。
   本文還采用相同工藝設(shè)計(jì)了平面螺旋變壓器作為耦合終端的CMOS電感電容正交壓控振蕩器。測(cè)試結(jié)果表明:電路在1.8V電源供電和工作頻率為4.6GHz時(shí),相位噪聲為-125.7dBc/Hz@1MHz,核心部分直流功耗僅為10mW。根據(jù)時(shí)域的輸出波形,測(cè)量的相位誤差大約為1.5°,輸出功率約為-2dBm。芯片的工作頻率為4.36~4.48GHz,調(diào)諧范圍為320MHz(7.0%),電路優(yōu)值為-189

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