1、本文主要研究鉭鈮酸銀(Ag(Nb,Ta)O3)陶瓷基于高頻電容器的特性。用常規(guī)合成方法制備該體系時(shí),制備過(guò)程存在很多的困難,且介電性能也還達(dá)不到實(shí)用化的要求。論文討論在傳統(tǒng)的固相反應(yīng)法制備鉭鈮酸銀固溶體的基礎(chǔ)上,改進(jìn)制備過(guò)程,通過(guò)添加晶種、助溶劑等對(duì)其進(jìn)行摻雜改性,并通過(guò)各類(lèi)分析手段對(duì)體系進(jìn)行微觀表征,揭示一些實(shí)驗(yàn)過(guò)程中出現(xiàn)的現(xiàn)象并作出解釋,分析引起介電性能變化的原因。
　　 實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,晶種法制備的Ag(Nb,Ta)O3較傳

2、統(tǒng)固相法制備的樣品更為致密,晶粒大小均勻,形狀更為規(guī)則。煅燒前后添加晶種的區(qū)別不大。XRD表明樣品均為ANT相。SEM比較的結(jié)果也都一樣,樣品均較為致密,成瓷性較好。介電性能的隨溫度和添加量的變化趨勢(shì)也一致。最佳的添加量都是1wt％。最佳的燒結(jié)溫度都是1100℃,煅燒后添加1 wt％晶種樣品的介電性能為:ε=512.712,tanδ=0.00486。添加不同劑量MnNb2O6合成的ANT樣品,隨著燒結(jié)溫度的升高,介電損耗幼tanδ先減小

3、后增大,而介電常數(shù)ε先增大后減小。添加劑量為3mol％時(shí),得到最佳介電性能:ε=474,tanδ=0.00307。低熔點(diǎn)助溶劑Bi2O3和Sb2O3的添加對(duì)體系的各項(xiàng)性能均有明顯的改善,使得材料的介電常數(shù)有所提高,介電損耗大大減小,溫度系數(shù)近零。我們嘗試單獨(dú)摻雜和共同摻雜等幾種配方,相比較之下,Bi2O3的作用更為明顯,效果更好。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明摻雜Bi2O3的樣品在燒結(jié)溫度為1100℃,摻雜量為3.5wt％時(shí),樣品的介電性能最佳。介電常數(shù)