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文檔簡介
1、納米材料特別是納米半導體材料越來越被人們所重視。當材料顆粒尺寸減小到納米尺寸范圍內以后,材料量子尺寸效應、大比表面效應、量子限域效應等均會有顯著提高,從而表現(xiàn)為與體相材料截然不同的特異性能,被廣泛應用于微電子、非線性光學、光電轉化、光催化等領域。
Ⅳ-Ⅵ族和Ⅱ-Ⅵ族金屬硒化物均屬于較為重要的半導體材料,它們具有優(yōu)異的光學、電學和磁學等性能。當顆粒尺寸減小到納米級之后,會表現(xiàn)出更加獨特的性能,從而使它們在光學開關、光催化、氣
2、敏、非線性光學器件等方面具有更廣泛的應用。但如何快速簡便、經(jīng)濟有效、綠色環(huán)保、形貌和尺寸可控的合成該類化合物仍然是今后一段時間該類半導體化合物實用化的主要前提,新的合成方法和新形貌合成必將對該類化合物理論和應用研究起到極大的推動作用。ZnO是一種較為重要的半導體材料,其室溫下禁帶寬度為3.37 eV,激子束縛能約為60 mV。這些特性特別是其獨特的光學、光電性能,使其在催化、光催化、氣敏、壓電、激光、傳感器等方面得到了廣泛應用。
3、 本文主要工作有:利用水熱法,分別使用pb2+-EDTA、Na2SeSO3和Cu2+-EDTA、Na2SeSO3,通過控制反應條件,制備了單分散PbSe納米立方體和CuSe納米片,使用XRD、SEM、TEM、UV-vis、PL等手段對產(chǎn)品進行了表征,并研究了影響產(chǎn)品組成及形貌的各種因素。實驗表明,適當?shù)臏囟?、使用配位離子作為反應中間體和添加適量的PVP是影響產(chǎn)品形貌的關鍵,適量的PVP可以使PbSe納米晶和CuSe納米晶定向生長,
4、同時也有助于減少納米晶的團聚。在實驗的基礎上,初步探討了單分散PbSe納米立方體和CuSe納米片的生長機理。利用UV-vis和PL對PbSe納米立方體和CuSe納米片紫外可見吸收和光致發(fā)光性能進行了研究,對PbSe納米發(fā)光材料實用化進行了理論探索。
以Zn(Ac)2和氨水為原料,添加適量的PVP作為控制劑,采用低溫均相沉淀法,成功合成了形貌單一、尺寸均一的啞鈴狀ZnO納米棒。使用SEM、TEM、XRD等手段對產(chǎn)品進行了表征
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