1、本文主要研究了兩方面的內(nèi)容：1.利用傅立葉紅外光譜儀(FTIR)研究了CZ法制備的SiGe合金材料(單晶、多晶)的紅外吸收譜圖；2.研究了Ge濃度與SiGe合金熱電轉(zhuǎn)換性能的關(guān)系。 利用FTIR技術(shù)研究了CZSi中Ge濃度與雜質(zhì)氧的關(guān)系，研究發(fā)現(xiàn)：Ge的摻入降低了Si單晶中的氧含量，與不摻Ge的Si單晶相比，降低了30～50％；Ge的摻入導致對應(yīng)于Si-O-Si鍵的1106cm-1吸收峰向低波數(shù)段漂移，并在1118cm-1(10

2、K下)波數(shù)處引起新的吸收峰；Ge摻入在710cm-1、800cm-1波數(shù)處引起紅外吸收峰，峰的強度隨Ge含量的增加而增強，且吸收峰的強度和波形不隨測試溫度的改變而變化：利用710cm-1吸收峰的吸收系數(shù)αmax、半峰寬W1/2和Ge濃度的關(guān)系，分別得到了室溫下和10K下利用FTIR技術(shù)測定CZSi單晶中Ge含量的計算公式：[Ge]=1.429×1020amaxW1/2(atoms/cm3)室溫[Ge]=1.274×1020αmaxW1/

3、2(atoms/cm3)10K 利用Seebeck系數(shù)測試儀、階躍函數(shù)加熱法熱導率測試儀、激光脈沖熱導率測試儀和四探針法研究了不同Ge含量的SiGe合金熱電轉(zhuǎn)換性能。實驗結(jié)果表明：不同SiGe合金的Seebeck系數(shù)的絕對值大小一般在200-500μV/K之間，隨溫度不同略有起伏，對于p型SiGe單晶，<100>晶向單晶的賽貝克系數(shù)為450-530μV/K，<111>晶向的為325-400μV/K，表現(xiàn)出明顯的各向異性；Ge的摻