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![F摻雜SnO2薄膜的電子輸運(yùn)性質(zhì)研究.pdf_第1頁](https://static.zsdocx.com/FlexPaper/FileRoot/2019-3/14/17/dab382d5-0669-4525-94c1-2c32cc03ee82/dab382d5-0669-4525-94c1-2c32cc03ee821.gif)
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文檔簡介
1、F摻雜的SnO2(FTO)薄膜具有高的可見光透過率和優(yōu)良的導(dǎo)電性,在太陽能電池以及平面液晶顯示等諸多領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。多年來,人們分別從實(shí)驗(yàn)上和理論上對FTO展開了大量的研究工作。關(guān)于FTO薄膜高導(dǎo)電性和光學(xué)透過性起源的研究,主要是基于能帶結(jié)構(gòu)的計(jì)算,電子能帶結(jié)構(gòu)對材料的電輸運(yùn)特性至關(guān)重要。通過對FTO能帶結(jié)構(gòu)的計(jì)算,人們發(fā)現(xiàn)這類材料具有類自由電子的特性,而目前的實(shí)驗(yàn)研究,主要集中在改善制備條件,得到高質(zhì)量的FTO薄膜上,對其電輸
2、運(yùn)機(jī)制缺乏系統(tǒng)有效的研究。另外,材料的性能在很大程度上取決于其結(jié)構(gòu),對透明導(dǎo)電氧化物薄膜進(jìn)行退火處理可能會(huì)使薄膜的結(jié)構(gòu)形態(tài)發(fā)生改變,從而導(dǎo)致其性能發(fā)生變化。
本論文對FTO薄膜的電輸運(yùn)性質(zhì)進(jìn)行了系統(tǒng)研究。在300至50 K的溫度范圍,樣品的電阻率溫度關(guān)系服從布洛赫-格林艾森公式,載流子濃度的大小與溫度無關(guān),證明了FTO薄膜具有金屬導(dǎo)電特性。在300至10 K的溫度范圍,只觀察到了與溫度呈現(xiàn)線性關(guān)系的擴(kuò)散熱電勢,而沒有發(fā)現(xiàn)聲子曳
3、引熱電勢,經(jīng)分析發(fā)現(xiàn)這源于FTO中長的電子-聲子散射時(shí)間?ep。通過對電阻率和熱電勢的分析,我們從實(shí)驗(yàn)上證明了FTO薄膜具有類自由電子導(dǎo)電特性,服從玻爾茲曼輸運(yùn)方程。在50 K以下,樣品的電阻率隨溫度的減小出現(xiàn)小幅上升,這是由低溫量子效應(yīng)(弱局域效應(yīng)和電子-電子相互作用)所引起的。應(yīng)用弱局域理論對磁電阻進(jìn)行分析,得到了退相干散射率與溫度的關(guān)系,經(jīng)過與理論進(jìn)行定量比較,我們發(fā)現(xiàn)電子-電子散射主導(dǎo)著低溫的退相干機(jī)制。上述結(jié)果使得我們成功驗(yàn)證
4、了三維無序系統(tǒng)中的電子-電子散射理論。在一般的三維無序金屬中,載流子濃度較高,這使得電子-聲子散射率遠(yuǎn)大于電子-電子散射率。而FTO薄膜的載流子濃度比一般金屬中的低2~3個(gè)量級,這使得FTO中的電子-電子散射率大幅提高而占主據(jù)導(dǎo)地位,因而給我們提供了檢驗(yàn)三維無序?qū)w中電子-電子散射理論的機(jī)會(huì)。
通過研究熱處理對透明導(dǎo)電氧化物薄膜性質(zhì)的影響,我們發(fā)現(xiàn) FTO薄膜具有優(yōu)良的熱學(xué)穩(wěn)定性,適當(dāng)條件的熱處理可以有效改善其結(jié)構(gòu),提高光學(xué)和
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