1、本論文的撰寫是基于天津大學(xué)電信學(xué)院新型半導(dǎo)體器件與集成技術(shù)組和國防科技重點實驗室的合作項目--"諧振隧穿三極管器件結(jié)構(gòu)的研究"進(jìn)行的.為了探究共振隧穿三極管(RTT)的結(jié)構(gòu)對器件特性的影響,采用ATLAS模擬軟件進(jìn)行器件模擬,在中國電子科技集團第13研究所進(jìn)行了芯片制作,并對器件進(jìn)行了測量,對于測試結(jié)果做了詳細(xì)的對比與分析.截至目前為止,本課題組和重點實驗室合作,成功研制出國內(nèi)第一只共振隧穿三極管,其電流峰谷比PVCR最高達(dá)到47.

2、 論文完整的介紹了RTT的研制過程,從材料設(shè)計、版圖設(shè)計、器件模擬、芯片制作、測試、結(jié)果分析以及在電路中的應(yīng)用等各個方面進(jìn)行了詳細(xì)的解釋與論述,重點對器件模擬與芯片的測試與分析兩個關(guān)鍵環(huán)節(jié)進(jìn)行了闡述.在模擬方面,著重對肖特基柵型共振隧穿三極管(SGRTT)和RTD與HEMT結(jié)合的RTT兩種類型器件進(jìn)行了仿真,特別是對影響器件特性的重要結(jié)構(gòu)參數(shù)和工藝參數(shù)進(jìn)行了模擬分析,如器件發(fā)射極的面積、柵極的縱向位置以及勢壘區(qū)附近材料的摻雜濃度等,

3、在研制階段為設(shè)計人員提供了參考,在流片階段為器件制作提供了理論依據(jù).文章對芯片的測試結(jié)果進(jìn)行了充分的分析與說明,針對芯片發(fā)射極一集電極正反接地造成的I-V特性曲線的差異性和開啟電壓V<,r>隨柵壓漂移的情況進(jìn)行了討論,并通過器件模擬驗證正反接I-V特性曲線的差異,有力證明了作者對此的觀點,為分析測試結(jié)果提供了有力幫助. 整篇論文對共振隧穿三極管從設(shè)計、模擬到測試結(jié)果分析、驗證都進(jìn)行了全面而嚴(yán)謹(jǐn)?shù)恼撌?為今后隧穿器件的研究與應(yīng)用奠