1、IDDQ測(cè)試?yán)碚撘唤?jīng)提出,便引起了集成電路領(lǐng)域的廣泛關(guān)注。作為有效的VLSI測(cè)試手段,IDDQ測(cè)試在檢測(cè)芯片的物理缺陷,提高測(cè)試覆蓋率,裸芯片的篩選,芯片的老化檢驗(yàn)等方面發(fā)揮著巨大作用。 深亞微米時(shí)代的IDDQ測(cè)試技術(shù)有別于傳統(tǒng)意義的IDDQ,雖然新的IDDQ測(cè)試方法仍然以芯片電源電流為研究對(duì)象,但它不再象傳統(tǒng)IDDQ測(cè)試方法一樣簡(jiǎn)單增加數(shù)十個(gè)電流測(cè)量點(diǎn)來(lái)僅僅完成對(duì)芯片物理缺陷的篩選,而是輔助于EDA工具,并根據(jù)其支持的故障模型

2、生成高故障覆蓋率的測(cè)試向量表,完成高密度的與芯片狀態(tài)相關(guān)的電流點(diǎn)的測(cè)量；其測(cè)試數(shù)據(jù)的處理方法也不再局限于傳統(tǒng)IDDQ的單一閾值比較法,而是應(yīng)用多種統(tǒng)計(jì)學(xué)處理方法,消除測(cè)量數(shù)據(jù)中的干擾因素,突出與器件內(nèi)部狀態(tài)密切相關(guān)的電流變化,并以此變化為依據(jù),實(shí)現(xiàn)對(duì)芯片的判定。 事實(shí)證明,良好的IDDQ測(cè)試解決方案不僅是對(duì)功能測(cè)試,掃描測(cè)試的有效補(bǔ)充,很多的時(shí)候可以取代甚至超越上述測(cè)試手段,國(guó)外的科研人員已對(duì)此展開(kāi)了諸多深入研究,而國(guó)內(nèi),由于V

3、LSI測(cè)試技術(shù)相對(duì)落后,缺乏對(duì)復(fù)雜芯片的測(cè)試能力,在加上深亞微米時(shí)代新的IDDQ測(cè)試方法應(yīng)用復(fù)雜等原因,對(duì)IDDQ測(cè)試的研究及應(yīng)用較少,尚無(wú)對(duì)此的公開(kāi)研究報(bào)道。 本文在深入分析IDDQ測(cè)試原理的基礎(chǔ)上,針對(duì)先進(jìn)的0.18μm工藝技術(shù)實(shí)現(xiàn)的高清電視視頻處理芯片,實(shí)現(xiàn)深亞微米工藝芯片下多種方法IDDQ的測(cè)試,通過(guò)對(duì)樣本芯片測(cè)試結(jié)果的比較,提出了一套針對(duì)此芯片的高效的深亞微米工藝IDDQ輔助測(cè)試解決方案,并根據(jù)解決方案中可能影響測(cè)試結(jié)