1、當前，以Flash為存儲媒介的不揮發(fā)存儲器電子產(chǎn)品正方興未艾，從常見的簡單U盤到琳瑯滿目的各種mp3音樂播放器、mp4多媒體播放器，從嵌入在手機電路中作為存儲指令代碼的載體到供數(shù)碼相機存放照片的各類存儲卡，以及在手機、DVD播放器的解碼電路、機頂盒、汽車電子等等，處處可以見到Flash的身影。尤其是進入21世紀以來，F(xiàn)lash新技術的研發(fā)，新產(chǎn)品的開發(fā)，以及整個產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展很大程度上提升了人們的生活質量和水平，使人們的生活變得更加的自

2、如和方便。 本文結合基于局部電荷俘獲原理的NROMFlash試圖對其一些獨特的工藝、器件和可靠性特性進行一些有益的探討。 全文共分五章。前言部分簡要回顧了Flash發(fā)展的歷史以及目前的技術發(fā)展水平。第一章主要論述不揮發(fā)存儲器概況及NROMFlash特點，從不揮發(fā)存儲器應用及其特性入手，并通過比較NANDFlash和NORFlash的異同點，進而介紹本文要論述的NROMFlash工藝及設計特性。第二章側重于NROMFlas

3、h主要測試鍵的設計和測量，有針對性地就一些關鍵的電性測試參數(shù)進行設計是必須和必要的。第三章對NROMFlashCell的操作機制和一些物理模型進行了有益的探討，從NROMFlashcell的基本操作，到器件在操作過程中電性發(fā)生的一些變化，都是揭示其獨特機制的線索和呈現(xiàn)形式。第四章是本文的重點，集中就NROMFlash的工藝特性展開討論。在該章中，主要討論了摻雜及其分布對Cell特性的影響，Thermal對器件特性的影響以及一些先進的工藝