1、大功率半導體激光器以其高效率、大功率和高可靠性等優(yōu)點在泵浦固體激光器、光纖通信、材料加工、醫(yī)療、激光打印等方面獲得了廣泛的應用。大功率和高可靠性是研制大功率半導體激光器追求的主要目標。目前限制大功率半導體激光器功率和壽命的主要問題是激光器腔面的災變性光學損傷（COD - Catastrophic Optical Damage）。非吸收窗口結構是有望解決COD 問題的一個重要方法。通過量子阱混合（QWI - Quantum Well In

2、termixing） 技術構造非吸收窗口具有工藝簡單、成本低和實用性好的優(yōu)點。本文將通過理論和實驗分析，對用于構造腔面非吸收窗口的量子阱混合技術進行研究。 本文首先介紹了COD 及QWI 技術的基本原理。量子阱混合的本質機理是由半導體內部的自體點缺陷引起的異質結組分原子互擴散，因而本文在分析點缺陷性質及其對自擴散系數(shù)的影響的基礎上提出了量子阱混合的理論模型，分析了溫度、As 壓、摻雜等工藝條件對量子阱混合的影響，著重介紹

3、了費米能級效應（Fermi level effect）的作用及雜質擴散的理論。 對雜質誘導量子阱混合（IID – Impurity Induced Disordering）、離子注入誘導量子阱混合（IIID – Ion Implantation Induced Disordering）及無雜質空位誘導量子阱混合（IFVD -Impurity Free Vacancy Disordering）的機制進行了介紹，并分析了其各自的特點