1、本文為進(jìn)一步改善薄膜的物理性能，可以對BTO薄膜進(jìn)行摻雜改性。主要做了以下幾個方面的工作。 1．LaNiO<,3>(LNO)薄膜材料與大多鐵電材料一樣具有鈣鈦礦結(jié)構(gòu)，晶格失配小，可以實(shí)現(xiàn)較好的晶體學(xué)兼容，而且以LNO薄膜用作下電極還可以改善疲勞特性。在熱分析的基礎(chǔ)上，通過控制熱分解溫度，采用溶膠凝膠法制備得到了兩種擇優(yōu)取向的LNO薄膜。結(jié)果發(fā)現(xiàn)，較低的熱分解溫度下得到(110)擇優(yōu)取向的LNO薄膜，而較高的熱分解溫度下得到(20

2、0)擇優(yōu)取向的LNO薄膜。同時，在固定熱分解溫度時，改變烘烤溫度，發(fā)現(xiàn)烘烤溫度對擇優(yōu)取向影響不大。 2．以具有(110)和(200)兩種不同擇優(yōu)取向的LNO薄膜作為下電極，從而生長不同擇優(yōu)取向的Bi<,3.25>La<,0.75>Ti<,3>O<,12>(BLT)薄膜，并研究了BLT取向?qū)O化強(qiáng)度、矯頑場、漏電流的影響。研究發(fā)現(xiàn)，c軸擇優(yōu)取向的BLT薄膜具有較大的剩余極化強(qiáng)度P<,r>、較小的漏電流，而擇優(yōu)取向?qū)ΤC頑場的影響不大