1、寬禁帶半導(dǎo)體碳化硅以其優(yōu)越的性能成為功率電子器件的理想材料且得到了廣泛的研究。4H-SiC JBS(Junction Barrier Schottky Diode)二極管結(jié)合了PiN二極管和肖特基勢(shì)壘二極管SBD(Schottky Barrier Diode)兩者的優(yōu)勢(shì),具有小開啟電壓、低反向漏電流、高擊穿電壓和高開關(guān)速度等特性,因此在高壓和高速領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。
　　 圍繞高壓4H-SiC JBS器件的設(shè)計(jì),本文利用二維

2、半導(dǎo)體模擬軟件ISE-DESSIS進(jìn)行了結(jié)終端技術(shù)和新型結(jié)構(gòu)的研究:
　　 由于受到電場(chǎng)集中效應(yīng)的影響,器件的耐壓將會(huì)嚴(yán)重下降,因此必須使用相應(yīng)的結(jié)終端技術(shù)。本文討論了常用的平面結(jié)終端技術(shù),包括場(chǎng)板、場(chǎng)限環(huán)、結(jié)終端擴(kuò)展等技術(shù)來(lái)改善耐壓,分析了各種技術(shù)的工作機(jī)理及其結(jié)構(gòu)參數(shù)對(duì)擊穿電壓的影響；在此基礎(chǔ)上,設(shè)計(jì)了將三種技術(shù)結(jié)合使用的一種復(fù)合型終端技術(shù),結(jié)果表明該結(jié)構(gòu)改善了器件擊穿電壓的可靠性和穩(wěn)定性。
　　 在器件的外延層中引