非致冷紅外探測器用氧化釩薄膜工藝研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、該論文以高純五氧化二釩和高純金屬釩分別作為蒸發(fā)源和濺射靶材,采用真空蒸發(fā)法和反應射頻磁控濺射方法制備了氧化釩薄膜.在實驗中主要研究了基片溫度、Ar/O2比、真空熱處理等條件對氧化釩薄膜性能的影響.對于蒸發(fā)鍍膜,適當提高基片溫度有利于形成結(jié)晶良好的薄膜,溫度較低時可能形成非晶態(tài)薄膜.通過對樣品熱處理前后XRD和XPS分析我們可以得到真空熱處理有利于MO2的形成.反應射頻磁控濺射制備的薄膜樣品的電阻溫度曲線呈現(xiàn)遞減趨勢,顯示出負的電阻溫度系

2、數(shù),具有良好的熱敏特性,認為制備的較符合氧化釩薄膜電阻要求的樣品的電阻溫度系數(shù)在-2.3％/K左右;通過調(diào)整Ar/O<,2>比,薄膜的電阻變化較大,范圍在0.04657~4086KΩ,各樣品的成分變化也很大;對濺射制備的部分樣品進行真空熱處理得到了下面的結(jié)論:在成份上,真空熱處理能夠促使V<,2>O<,5>還原向VO<,2>轉(zhuǎn)化;在電性能上,真空熱處理降低了薄膜電阻,提高了電阻溫度系數(shù);在微觀結(jié)構(gòu)上,真空熱處理使晶粒排列有序致密,缺陷消

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