Se納米線的制備及其形成機理研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、論文對納米技術(shù)背景和納米線的制備方法進行了綜述,對Se納米線的制備方法進行了深入研究,在此基礎(chǔ)上提出了本課題的研究內(nèi)容和思路.實驗研究了Se納米線制備過程中的影響因素,實驗結(jié)果表明:溶劑、溫度和溫度變化、H<,2>SeO<,3>溶液的濃度、反應(yīng)時間、靜置時間等,對Se納米線的形成有顯著的影響.水是制備Se納米線的良好溶劑.在Se納米線的形成過程中,低溫靜置不利于Se的有效溶解,高溫靜置不利于Se晶核的定向生長,適宜的形成Se納米線的靜置

2、溫度在10℃到40℃之間；延長靜置時間有利于提高Se納米線的質(zhì)量.控制反應(yīng)物H<,2>SeO<,3>溶液的濃度能夠控制α-Se和t-Se晶核的形成,進而控制Se納米線的形成過程.開發(fā)了濃度控制法制備Se納米線的新方法.濃度控制法包括"反應(yīng)"和"混合"兩個階段:首先調(diào)節(jié)反應(yīng)物H<,2>SeO<,3>的濃度,分別制備了無定型α-Se和三角晶型t-Se晶核,然后將α-Se與t-Se溶液混合,靜置過程中α-Se轉(zhuǎn)化為t-Se納米線.實驗結(jié)果表明

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