1、隨著科技的發(fā)展，超高速電子器件及光電子器件發(fā)展很快，特別是一些新的半導(dǎo)體材料制造技術(shù)的應(yīng)用，使得半導(dǎo)體器件的響應(yīng)速度己達到幾個皮秒甚至亞皮秒。這些高速器件的帶寬，已經(jīng)遠超過了傳統(tǒng)的純電子測量技術(shù)的能力，因此必須尋找新的測量方法。而光電導(dǎo)采樣測量技術(shù)是利用快速光電導(dǎo)開關(guān)作為采樣門來測量高速電信號波形的一種激光探針測量技術(shù)，它可以實現(xiàn)非常高的系統(tǒng)測量電壓靈敏度和信噪比，系統(tǒng)測量帶寬可達THz。在這種背景下，本文結(jié)合傳統(tǒng)光刻工藝與原子力顯微鏡

2、(Atomic Force Microscopy，AFM)陽極誘導(dǎo)氧化加工技術(shù)，制作超快高性能的光電導(dǎo)開關(guān)，對開關(guān)的光電導(dǎo)采樣測量方法進行了研究，設(shè)計了光電導(dǎo)開關(guān)的光電導(dǎo)采樣測量系統(tǒng)。本文的主要研究內(nèi)容和研究結(jié)果如下：
　　 ⑴通過比較各種常用光電導(dǎo)材料和傳輸線樣式的優(yōu)缺點，針對本文要實現(xiàn)的功能，選定采用GaAs作為光電導(dǎo)開關(guān)的襯底，設(shè)計了專門針對光電導(dǎo)開關(guān)的光導(dǎo)采樣測量方法的開關(guān)的傳輸線版圖結(jié)構(gòu)；
　　 ⑵從理論上分析