1、本文設(shè)計(jì)了一種700V高壓LDMOS的BCD(Bipolar-CMOS-DMOS)工藝，主要面向中小功率單片智能功率集成電路的設(shè)計(jì)應(yīng)用。在分析當(dāng)前工藝開(kāi)發(fā)面臨的挑戰(zhàn)以及傳統(tǒng)的工藝開(kāi)發(fā)的基礎(chǔ)上，本文提出了利用Silvaco公司的集成TCAD(Technology Computer Aided Design)環(huán)境Virtual Wafer Fab進(jìn)行新工藝開(kāi)發(fā)的思想，利用其工藝仿真軟件Athena和器件仿真軟件Atlas模擬工藝開(kāi)發(fā)流程，完

2、成整個(gè)BCD工藝的研究與開(kāi)發(fā)。 在國(guó)內(nèi)許多論文提出的BCD工藝中，也對(duì)兼容700V LDMOS的BCD工藝進(jìn)行了詳細(xì)的闡述，但其主要是系統(tǒng)粗略的分析，實(shí)用性不強(qiáng)。本文通過(guò)對(duì)BCD工藝開(kāi)發(fā)中遇到的幾個(gè)問(wèn)題進(jìn)行了深入的研究，并制定了完整的BCD工藝流程，為高壓BCD工藝的實(shí)用性打下基礎(chǔ)。 從工藝的應(yīng)用領(lǐng)域、電路規(guī)模以及器件結(jié)構(gòu)特點(diǎn)出發(fā)，本文主要考慮了器件之間的隔離、高壓LDMOS制作中溝道的制作方式及其開(kāi)漏輸出PAD上ESD