射頻集成磁膜微電感的制備與性能研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、高性能射頻(Radio Frequency,RF)集成微電感是移動通信應(yīng)用中需求很高的無源器件。目前,低成本、高性能、高集成度RF微電感的缺乏阻礙了單片射頻SOC(SystemonChip)集成電路的實(shí)現(xiàn)。磁材料集成到微電感中不僅可增加電感感值,也可有效減少線圈磁漏,是實(shí)現(xiàn)高性能RF集成微電感很有前景的一種方法。本論文深入系統(tǒng)地研究了高頻鐵氧體薄膜磁性能及制備工藝,在此基礎(chǔ)上,首次采用標(biāo)準(zhǔn)硅集成工藝實(shí)現(xiàn)了基于鐵氧體RF集成磁膜微電感,實(shí)

2、驗(yàn)結(jié)果表明鐵氧體磁膜的引入可有效提高RF平面微電感的整體性能。論文首先對RF平面微電感的物理模型進(jìn)行了研究,給出了平面電感Q值和L值的計(jì)算方法,從模型出發(fā)分析了電感結(jié)構(gòu)和材料參數(shù)對電感L、Q值的影響。在此基礎(chǔ)上,針對高電阻率鐵氧體磁材料的特點(diǎn),得到了磁膜微電感等效電路模型及適合于集成磁膜微電感L值與Q值的計(jì)算表達(dá)式,并使用等效模型詳細(xì)地分析了鐵氧體磁膜的引入對RF平面微電感性能的影響,為鐵氧體應(yīng)用到磁膜集成RF微電感打下理論基礎(chǔ)。仿真結(jié)

3、果表明高頻磁導(dǎo)率和高頻介電常數(shù)對電感高頻性能同等重要,只有選取高磁導(dǎo)率、低介電常數(shù)的鐵氧體材料才能提升RF微電感的整體性能。同時(shí),使用部分元等效電路法(PartialElementEquivalentCircuits,PEEC)解決了射頻頻段微米尺度金屬損耗的精確計(jì)算問題,為預(yù)測、設(shè)計(jì)和優(yōu)化片上螺旋電感提供了一種有效的電磁仿真方案。接著,研究了使用溶膠-凝膠(Sol-gel)自燃法制備的NiCuZn、YIG、CoZrO鐵氧體高頻電磁性能

4、,測試結(jié)果表明這些材料在高頻下具有低的磁損耗和介電損耗,而NiCuZn、CoZrO鐵氧體截止頻率大于1GHz,適合于RF集成微電感的應(yīng)用要求。在此基礎(chǔ)上,使用sol-gel法結(jié)合快速熱處理(Rapid Thermal Processing,RTP)工藝制備了軟磁性能良好的NiCuZn、YIG鐵氧體磁膜,通過對磁膜樣品表面形貌、晶相結(jié)構(gòu)及準(zhǔn)靜態(tài)、高頻磁性能的測試,詳細(xì)研究了組分、溶膠-凝膠法、RTP退火工藝對鐵氧體薄膜性能的影響,獲得了優(yōu)

5、化的工藝條件。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明:sol-gel技術(shù)有效降低了磁膜晶化溫度,在溶膠摩爾濃度盡可能高的條件下,制備樣品可得到相當(dāng)于體材的靜磁性能;sol-gel法結(jié)合RTP工藝可有效地實(shí)現(xiàn)磁性薄膜的低溫集成工藝,為將磁性薄膜集成到RF微電感打下基礎(chǔ)。論文對集成磁膜微電感制作涉及的關(guān)鍵工藝進(jìn)行了研究與開發(fā),其中有磁性薄膜的刻蝕工藝、聚酰亞胺薄膜的制備與刻蝕技術(shù)及電鍍Cu工藝。在磁膜圖形化工藝研究中,比較了多種刻蝕工藝,得到了適用于鐵氧體磁膜的刻蝕

6、工藝;研究了聚酰亞胺薄膜的制備與刻蝕技術(shù);對電鍍Cu工藝進(jìn)行了細(xì)致的研究,設(shè)計(jì)成熟了種子層濺射/厚膠光刻/電鍍Cu/種子層刻蝕的Cu線條制作技術(shù)。這些關(guān)鍵工藝的研究以與標(biāo)準(zhǔn)硅集成工藝兼容為前提,獲取了大量的工藝經(jīng)驗(yàn),為磁膜微電感的實(shí)現(xiàn)打下了實(shí)驗(yàn)基礎(chǔ)。在結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和工藝優(yōu)化的基礎(chǔ)上,結(jié)合現(xiàn)有實(shí)驗(yàn)工藝條件設(shè)計(jì)了單層、雙層金屬磁膜微電感版圖,提出了與標(biāo)準(zhǔn)硅工藝兼容的磁膜微電感制備工藝流程,進(jìn)行了多次工藝流水,實(shí)現(xiàn)了磁膜微電感。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明將磁性

7、薄膜集成到IC微電感中是完全可行的。最后對所制備的微電感樣品進(jìn)行了高頻測試,通過實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)系統(tǒng)分析了微電感結(jié)構(gòu)、材料參數(shù)及測試電極結(jié)構(gòu)形式對電感高頻性能的影響,并與仿真結(jié)果進(jìn)行了對比,比較結(jié)果表明等效電路計(jì)算方法在5GHz內(nèi)具有可滿足設(shè)計(jì)要求的仿真精度。比較了YIG、NiCuZn和CoZrO鐵氧體磁膜集成微電感樣品與同結(jié)構(gòu)參數(shù)無磁膜微電感樣品的高頻性能,測試結(jié)果表明CoZrO磁膜集成可有效的提升微電感的整體高頻性能,與同類無磁膜電感樣品進(jìn)

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