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![納米通道中電滲流的分子動(dòng)力學(xué)模擬.pdf_第1頁](https://static.zsdocx.com/FlexPaper/FileRoot/2019-3/16/17/6132e530-7519-4692-81e4-efe286c75863/6132e530-7519-4692-81e4-efe286c758631.gif)
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1、20世紀(jì)80年代,機(jī)械系統(tǒng)開始向小型化、微型化發(fā)展,出現(xiàn)了微機(jī)電系統(tǒng)。為了解決傳統(tǒng)的機(jī)械式驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)造成的設(shè)計(jì)、加工、控制及密封等方面的問題,電滲作為一種新型的驅(qū)動(dòng)方式廣泛的應(yīng)用于微機(jī)電系統(tǒng)。如何正確控制電滲直接影響微電子機(jī)械系統(tǒng)的發(fā)展。在微米級(jí)別改變通道結(jié)構(gòu)和壁面帶電狀況可以形成剪切流、渦流等復(fù)雜的速度流型,從而實(shí)現(xiàn)分離粒子和加速混合的用途。但在納米通道能否出現(xiàn)剪切流、渦流或其他相似的復(fù)雜流型有待驗(yàn)證。為此,本文采用分子動(dòng)力學(xué)方法模擬了
2、納米通道中的電滲現(xiàn)象,對(duì)通道壁面分別帶正電荷和負(fù)電荷時(shí)雙電層結(jié)構(gòu)和溶液的速度流型進(jìn)行了比較;研究壁面通道同時(shí)帶正電荷和負(fù)電荷時(shí),電荷排列方式對(duì)雙電層結(jié)構(gòu)影響,并初步討論出現(xiàn)復(fù)雜流型的可能性。 在納米通道中,壁面分別帶正電荷和負(fù)電荷時(shí),雙電層結(jié)構(gòu)相反,對(duì)離子位置和大小不同;在通道的部分區(qū)域內(nèi),出現(xiàn)了電荷倒置現(xiàn)象:壁面帶負(fù)電荷的溶劑速度是壁面帶正電荷3倍并且方向相反。上壁面帶負(fù)電荷下壁面帶正電荷時(shí),壁面電荷吸引異號(hào)離子聚集在壁面附近
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