1、提高集成度，發(fā)展新型器件是當(dāng)前集成電路發(fā)展的一個(gè)重要方向。實(shí)空間轉(zhuǎn)移晶體管RSTT具有高頻、高速、可控負(fù)阻等特性，且可與HEMT或其它化合物高速器件集成在一起，構(gòu)成多種功能的高速集成電路，這將會(huì)使半導(dǎo)體負(fù)阻器件在新材料、新結(jié)構(gòu)方面的應(yīng)用進(jìn)一步延伸。本課題正是在此基礎(chǔ)上展開研究的。 本文首先介紹了RSTT的課題背景、研究進(jìn)展，之后給出了δ摻雜雙溝道GaAs/InGaAs共振隧穿RSTT的材料結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、器件的工藝制作以及器件的I-V

2、特性測(cè)試。最后，通過(guò)使用ATLAS軟件對(duì)器件進(jìn)行模擬。 RSTT是一種N型負(fù)阻器件，它利用熱電子在實(shí)空間中的轉(zhuǎn)移來(lái)實(shí)現(xiàn)遷移率的降低或分流。當(dāng)熱電子的能量超過(guò)勢(shì)壘高度時(shí)，則可克服勢(shì)壘注人到襯底第二導(dǎo)電層中去，如在柵極加適當(dāng)?shù)碾妷簞t可進(jìn)一步促進(jìn)這種電子的轉(zhuǎn)移運(yùn)動(dòng)，從而出現(xiàn)負(fù)阻特性。其兩溝道分別由InGaAs形成的U形勢(shì)阱和6摻雜形成三角勢(shì)阱構(gòu)成。電子轉(zhuǎn)移機(jī)制有兩種：低柵壓時(shí)，熱電子從U形勢(shì)阱轉(zhuǎn)移到V形勢(shì)阱，柵極電壓增大時(shí)則越過(guò)柵極