1、在半導(dǎo)體制造業(yè)中,自對(duì)準(zhǔn)金屬硅化物被廣泛應(yīng)用在源、漏、柵極與金屬之間的接觸,在大規(guī)模和超大規(guī)模CMOS邏輯集成電路技術(shù)中起著非常重要的作用。隨著晶體管集成度越來(lái)越高,器件尺寸越來(lái)越小,金屬硅化物也不斷地在發(fā)展變化。在進(jìn)入65nm以及45nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)以后,由于線寬效應(yīng)的制約,業(yè)界轉(zhuǎn)而采用硅化鎳取代原有的硅化鈷,以降低電阻值并減少漏電流,獲得更高的器件性能。但由于鎳原子比較活躍,并且硅化鎳在高溫下不穩(wěn)定,會(huì)轉(zhuǎn)變?yōu)楦唠娮柘唷６益囋尤菀装l(fā)生

2、過(guò)度擴(kuò)散進(jìn)入器件深處,嚴(yán)重影響器件性能并降低產(chǎn)品良率。通常采用添加其他金屬元素來(lái)增強(qiáng)硅化鎳的熱穩(wěn)定性。
　　 本文通過(guò)研究分析鎳的擴(kuò)散發(fā)生機(jī)制,針對(duì)鎳硅化物工藝進(jìn)行對(duì)比實(shí)驗(yàn),優(yōu)化了其制備工藝。實(shí)驗(yàn)分別對(duì)比了不同溫度快速退火對(duì)鎳擴(kuò)散的影響,并通過(guò)調(diào)整濺射工藝參數(shù),來(lái)比較不同條件下沉積的鎳鉑薄膜中鉑含量以及它對(duì)鎳擴(kuò)散的影響;還對(duì)比研究了不同的鎳硅化物制備工藝條件對(duì)鎳擴(kuò)散的影響。通過(guò)這些實(shí)驗(yàn),找到了兩種有效解決鎳擴(kuò)散問(wèn)題的制備方案。在