1、隨科技的發(fā)展，電子技術(shù)與輻射環(huán)境的關(guān)系愈來愈密切。大規(guī)?，F(xiàn)場可編程集成電路FPGA在電子領(lǐng)域得到了日益廣泛的應(yīng)用，然而，這類器件是由外延CMOS工藝制造的，如果該器件工作于輻射環(huán)境惡劣情況下，則需要研究γ電離總劑量輻射對該器件的損傷情況。 首先，介紹了輻射環(huán)境和輻射效應(yīng)。重點對半導(dǎo)體材料、器件和微電路，特別是MOS工藝結(jié)構(gòu)器件的電離輻射損傷效應(yīng)、機理和加固技術(shù)進行了詳細介紹。提出了明確的研究內(nèi)容，研究目的。通過對電子系統(tǒng)中使用F

2、PGA器件的γ射線電離輻射總劑量效應(yīng)的試驗研究，初步搞清了FPGA器件輻射損傷與γ射線電離總劑量的相互關(guān)系。 其次，簡要敘述了FPGA的基礎(chǔ)知識，著重介紹Actel公司FPGA芯片的工藝，特定結(jié)構(gòu)，用FPGA開發(fā)輻照樣品的過程，選取工作電流為測試輻照參數(shù)，并確定了試驗失效判據(jù)，針對FPGA芯片A1280XL開發(fā)輻照樣品，用三種不同的輻照方式(一直加偏置、測試時加偏置、不加偏置)對樣品進行了γ總劑量效應(yīng)試驗，得到大量詳實的試驗數(shù)據(jù)