NTDFZ(H)Si退火過程中氫雜質(zhì)及微缺陷的特性研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、該文從體內(nèi)微缺陷和表面潔凈區(qū)的形成及其形成機理、影響微缺陷形成的因素、氫雜質(zhì)對體內(nèi)微缺陷的成核的影響、微缺陷對材料性能的影響及退火制度對電阻率均勻性的影響等方面對中子輻照區(qū)熔(氫)硅的退火特性進行了系統(tǒng)的研究.中子輻照區(qū)熔(氫)硅片經(jīng)退火后會在硅片表面形成潔凈區(qū),而內(nèi)部形成體內(nèi)微缺陷.借助實驗現(xiàn)象對表面潔凈區(qū)和體內(nèi)微缺陷的形成機理進行了解釋.退火制度(第一步退火溫度、退火時間、一步退火溫度)及腐蝕時間等因素對體內(nèi)微缺陷的形成及微缺陷的粒

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