1、 隨著微波通信技術的發(fā)展，人們對通信系統(tǒng)的要求越來越高，比如小型化、可靠性等，微波單片集成電路(MMIC)憑借小型緊湊、穩(wěn)定性好、抗干擾能力強、批量生產成本低和產品性能一致性好等特點成為軍事電子對抗及民用通信系統(tǒng)最具吸引力的選擇。贗配高電子遷移率晶體管(PHEMT)具有增益、噪聲、功率方面更加良好的特性，成為微波與毫米波單片集成電路和超高速數字集成電路領域最具競爭力的有源器件之一，當前，PHEMTMMIC研究已經成為MMIC研究的

2、一大熱點。 作為系統(tǒng)的重要組成部分，MMIC功率放大器在電子對抗、通信、相控陣雷達等領域具有廣泛的應用價值，本文重點報導了“PHEMTMMIC寬帶單片功率放大器設計研究”工作，具體的研究內容摘要如下： 1.介紹了MMIC的背景、國內外研究動態(tài)及應用，陳述了MMIC相對于微波混合集成電路(MIC)的優(yōu)勢、前景及挑戰(zhàn)，并對MMIC的設計技術特點進行了簡述。 2.研究了PHEMT器件模型，明確了小信號、大信號模型參數的

3、提取及模型建立。認識了PHEMT有源器件工作特性、模型參數表征及器件模型的建立，簡單介紹了MMIC工藝流程。 3.對PHEMTMMIC寬帶單片功率放大器的特點、主要性能參數和設計技術進行了研究，并給出了兩級MMIC功率放大器的設計方法。 4.實際利用0.25μmPHEMT低噪聲工藝模型實現(xiàn)了一個6～20GHz寬帶單片中等功率放大器的仿真設計。設計好的MMIC功率放大器共兩級，第一級PHEMT柵寬為6×30μm，第二級PH

4、EMT為6×70μm，芯片版圖面積為1.29mm×0.94mm。放大器兩級均采用3V漏極單電壓自偏置負反饋A類工作方式，以獲得最小的線性失真和最優(yōu)化的輸出功率。在6～20GHz工作頻帶內，兩級放大器小信號增益為19.5dB，增益平坦度為±0.5dB，典型噪聲系數為3.5dB，輸入電壓駐波比≤1.7，輸出電壓駐波比≤2，20GHz頻率下1dB壓縮輸出功率達到18.2dBm。仿真結果表明，論文提出的設計方法簡單可行，實現(xiàn)了預期的設計指標要求