1、本文以CaO-Al2O3-SiO2系統(tǒng)微晶玻璃為研究對(duì)象，利用燒結(jié)法制備微晶玻璃，在組分不變的前提下，優(yōu)化了CaO-Al2O3-SiO2系統(tǒng)微晶玻璃的熱處理制度；研究了CaO-Al2O3-SiO2系統(tǒng)微晶玻璃表面析晶機(jī)理；并研究了析晶過程中溫度、時(shí)間、玻璃顆粒粒度對(duì)微晶玻璃析晶的影響。 實(shí)驗(yàn)利用DTA、XRD數(shù)據(jù)確定了熱處理制度中的最佳成核溫度，最佳晶化溫度，最佳晶化時(shí)間，以及各溫度段的升溫速率；利用Kissinger方程計(jì)算出

2、了析晶活化能，并運(yùn)用長(zhǎng)方體塊狀試樣計(jì)算了在960℃保溫時(shí)，各時(shí)間的析晶速率；利用高溫顯微鏡分析了微晶玻璃的整個(gè)燒結(jié)過程，并根據(jù)實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)，得到了表面析晶過程的析晶趨勢(shì)；并利用SEM、XRD測(cè)試手段，主要通過分析晶體的尺寸、分布、含量等參數(shù)，研究了晶化保溫時(shí)間、顆粒粒度、成核溫度段升溫速率對(duì)表面析晶的影響。 實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，CaO-Al2O3-SiO2系統(tǒng)微晶玻璃的最佳熱處理制度為：20℃-750℃升溫速率為5℃/min，750℃-9

3、18℃的升溫速率為2℃/min，918℃處保溫4h，918℃-1120℃的升溫速率為4℃/min，1120℃保溫2小時(shí)，再隨爐降溫。CaO-Al2O3-SiO2系統(tǒng)微晶玻璃中的晶體為β-硅灰石。表面析晶是晶體從樣品的表面或界面處成核、晶體沿垂直于晶體表面方向生長(zhǎng)；顆粒表面的雜質(zhì)、氣泡、微裂紋等各種缺陷提供了成核位，或者因玻璃顆粒界面燒結(jié)而降低了成核活化能。在顆粒粒度變小時(shí)，晶體數(shù)目增大；隨著晶化時(shí)間的增大，晶體是逐漸由顆粒狀轉(zhuǎn)變呈細(xì)針狀