1、計(jì)算機(jī)問(wèn)世50多年來(lái)，其性能發(fā)展很快，特別是CPU技術(shù)發(fā)展更快，然而，計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)器的發(fā)展滯后于CPU的發(fā)展，它嚴(yán)重影響了計(jì)算機(jī)的性能。由此對(duì)存儲(chǔ)器在集成度、功耗和速度上提出了更高的要求。 BiCMOS(BipolarComplementaryMetal-Oxide-Semiconductor)技術(shù)將雙極型器件與CMOS器件有效結(jié)合，既保持了CMOS電路的低功耗和高集成度的優(yōu)點(diǎn)，又獲得了與雙極電路相媲美的高速性能和強(qiáng)驅(qū)動(dòng)能力，因此

2、，近年來(lái)此技術(shù)正日益受到集成電路(IC)業(yè)界的重視。 本文設(shè)計(jì)的靜態(tài)隨機(jī)讀/寫(xiě)存儲(chǔ)器(SRAM)采用先進(jìn)的BiCMOS技術(shù)及Bank結(jié)構(gòu)、CSEA存儲(chǔ)位元以及超前譯碼技術(shù)，使存儲(chǔ)性能大為提高。本文最后對(duì)SRAM部分單元電路進(jìn)行了逐一、反復(fù)的仿真試驗(yàn)，以及對(duì)全電路進(jìn)行了軟件仿真，模擬結(jié)果表明，所設(shè)計(jì)的SRAM的容量為1M，電源電壓為3.3V，功耗約為1.78W，總體上實(shí)現(xiàn)了高速、高精度、低功耗的特性。 根據(jù)SRAM電路的性