PIC-MCC模擬直流平面磁控濺射.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、磁控濺射鍍膜是工業(yè)鍍膜生產(chǎn)中最主要的技術之一,尤其適合于大面積鍍膜生產(chǎn)。生產(chǎn)中需特別關注靶材利用率、沉積速率以及濺射過程穩(wěn)定性等方面的問題,其根本在于整個系統(tǒng)的優(yōu)化設計,磁控靶設計則是其中的關鍵環(huán)節(jié)。精確分析磁控靶的磁場對優(yōu)化磁控靶的設計非常重要。 論文第二章采用有限元法分析了圓形平面磁控靶的二維磁場分布,理論計算的結果與特斯拉計的實驗測量相符,通過對比了兩種不同磁極尺寸的磁控靶的磁場。發(fā)現(xiàn)減少磁極的尺寸可以擴展靶表面徑向磁場區(qū)

2、域,磁芯上方加圓錐形極靴可以增強磁芯上方徑向磁場。當設計磁控靶表面的磁場一定時,根據(jù)計算得到的磁極表面的磁場強度能夠得出需要采用磁性材料的強度。計算得到的磁控靶磁場的數(shù)據(jù)還可以在用計算機模擬磁控濺射過程中得到應用,可以用數(shù)值方法分析磁控濺射中磁場與濺射刻蝕的關系。 論文第三章采用PIC/MCC模型分析了直流平面磁控濺射,得到了放電空間的等離子體電場分布、電子和氬離子密度分布以及陰極表面的氬離子能量分布,并計算了到達陰極表面的氬離

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